【技术实现步骤摘要】
实施例涉及电路保护器件领域，更具体地，涉及用于防止过电压事件的半导体器件。
技术介绍
1、半导体器件被广泛用于通过利用p/n结的特性提供对瞬态条件的保护，例如瞬态过电压事件或浪涌事件。目前，市场上广泛部署了两种主要类型的分立电路保护技术。这些可被称为撬棒器件(crowbar device)和钳位器件(clamping device)。钳位器件的示例包括压敏电阻，例如金属氧化物压敏电阻(mov)，以及瞬态电压抑制(tvs)二极管、齐纳二极管和其他器件。在这些器件中的任一个中，电压可以被钳位到特定钳位器件的电平特性。使用钳位器件的缺点是，钳位型组件两端的电压降根据通过该器件的传导电流而增加。因此，较高钳位电压阈值组件将具有较低的峰值电流能力。
2、撬棒型器件包括晶闸管、等。在操作中，当达到某一电压时，撬棒器件将返回到较低电压阶段。撬棒型组件能够处理高得多的浪涌电流，因为在接通状态下，撬棒器件两端的电压极低。结合撬棒器件和钳位器件的特性的保护器件是可能的，但到目前为止，这种设计尚未优化。
3、关于这些和其他问题，提供了
【技术保护点】
1.一种浪涌保护器件，包括：
2.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其中，所述第一区域的形状是矩形、椭圆形或多边形。
3.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其中，所述撬棒器件是四层器件。
4.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，包括：
5.根据权利要求4所述的浪涌保护器件，还包括：
6.根据权利要求4所述的浪涌保护器件，其中：
7.根据权利要求4所述的浪涌保护器件，其中：
8.根据权利要求4所述的浪涌保护器件，还包括：
9.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其中，所述第二区域...
【技术特征摘要】
1.一种浪涌保护器件，包括：
2.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其中，所述第一区域的形状是矩形、椭圆形或多边形。
3.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其中，所述撬棒器件是四层器件。
4.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，包括：
5.根据权利要求4所述的浪涌保护器件，还包括：
6.根据权利要求4所述的浪涌保护器件，其中：
7.根据权利要求4所述的浪涌保护器件，其中：
8.根据权利要求4所述的浪涌保护器件，还包括：
9.根据权利要求1所述的浪涌保护器件，其中，所述第二区域大于所述第一区域。
10.一种不对称双向浪涌保护器件，包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：周继峰，牟宗文，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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