【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及半导体，并且更具体而言涉及用于在编程操作期间缓解过编程(over-programming)的方法和装置。
技术介绍
1、随着存储器装置缩小到更小的管芯尺寸以降低制造成本并且增大存储密度，平面存储单元的缩小因加工技术限制和可靠性问题而面临挑战。三维(3d)存储器架构能够解决平面存储单元中的密度和性能限制。
2、在3d nand闪速存储器中，可以垂直堆叠很多存储单元层，从而能够极大地增大每单位面积的存储密度。垂直堆叠的存储单元能够形成存储串，其中，每一存储串中的存储单元的沟道被连接起来。可以通过字线和位线对每一存储单元寻址。共享同一条字线的整个存储页中的存储单元的数据(即，逻辑状态)可以同时被读取或编程。然而，由于显著缩小的原因，可靠性是3d nand闪速存储器的一个顾虑。
技术实现思路
1、在本公开中描述了用于在编程操作期间缓解过编程的方法的各个方面。
2、在一些方面中，可以使用一种编程方法对包括存储单元和耦接至存储单元的字线的存储器装置进行编程。该编...
【技术保护点】
1.一种用于对包括存储单元和耦接至存储单元的字线的存储器装置进行编程的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的编程方法，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的编程方法，其中，确定具有大于所述第二验证电压的阈值电压的存储单元的数量包括：
4.根据权利要求1所述的编程方法，其中，确定具有处于第一验证电压和第二验证电压之间的阈值电压的存储单元的数量包括：
5.根据权利要求1所述的编程方法，其中，确定具有处于第一验证电压和第二验证电压之间的阈值电压的存储单元的数量进一步包括：
6.根据权利要求1所述的编程方法，...
【技术特征摘要】
1.一种用于对包括存储单元和耦接至存储单元的字线的存储器装置进行编程的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的编程方法，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的编程方法，其中，确定具有大于所述第二验证电压的阈值电压的存储单元的数量包括：
4.根据权利要求1所述的编程方法，其中，确定具有处于第一验证电压和第二验证电压之间的阈值电压的存储单元的数量包括：
5.根据权利要求1所述的编程方法，其中，确定具有处于第一验证电压和第二验证电压之间的阈值电压的存储单元的数量进一步包括：
6.根据权利要求1所述的编程方法，其中，确定具有处于第一验证电压和第二验证电压之间的阈值电压的存储单元的数量进一步包括：
7.根据权利要求1所述的编程方法，其中：
8.根据权利要求7所述的编程方法，其中，所述第一范围小于所述第二范围，并且所述第一步长调整值小于所述第二步长调整值。
9.根据权利要求1所述的编程方法，其中，执行所述编程操作进一步包括：
10.根据权利要求9所述的编程方法，其中，所述第二电压步长的施加使用了等于所述第一步长值与所述步长调整值之差的第二电压步长。
11.根据权利要求1所述的编程方法，其中，所述步长调整值小于所述第一步长值。...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏镜，郭晓江，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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