【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及半导体领域，尤其涉及一种用于半导体反应腔的基座调节装置。
技术介绍
1、在半导体领域中，半导体反应腔被广泛应用于材料沉积、刻蚀等工艺中。在半导体反应腔中，通常包括用于承载晶圆的基座，该基座可以在腔室内上下移动，带动晶圆到达预设的高度位置以实施各项工艺。晶圆进入腔室通常包括以下步骤：首先，基座位于零位，机械手将晶圆传入腔室并置于基座上，承载晶圆的基座被上升至预设高度，待晶圆处理完毕之后，基座被降低至零位，再由机械手将处理完的晶圆取走。然而，目前的基座升降方式是一种硬升降方式，也即基座被直接上升至预设高度，在上升过程中，由于电机运转、机械误差等造成实际高度与预设高度相比存在一定的误差，使得基座的实际高度并不精确，尤其在批量处理过程中会造成该实际高度的重复性差，使工艺效果不一致；此外，在升降过程中基座的水平度可能发生偏斜，这些问题都会影响工艺过程的稳定性，严重地可能造成晶圆受损，降低产品良率。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是如何提高基座升降的稳定性，提高产品良率。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种用于半导体反应腔的基座调节装置，所述半导体反应腔包括腔室、用于承载基片的基座和设置在基座底部的升降杆，所述基座由升降杆带动以在所述腔室内升降移动，基座调节装置包括依次设置在所述基座下方的升降机构和基座调整机构，其中，所述升降机构包括升降组件和结合件，所述升降组合和所述结合件都与所述升降杆可活动连接，其中，所述升降组件包括第一升降板、第二升降板和弹性件
3、在本申请的一实施例中，当所述弹性件处于第一压缩状态时具有第一压缩力，所述第一压缩力大于所述基座、所述升降杆、所述结合件和所述基座调整机构的重力之和。
4、在本申请的一实施例中，所述腔室包括用于处理基片的上腔室和用于传输基片的下腔室，所述上腔室和所述下腔室之间具有隔板，所述升降机构还用于在所述基座的上升过程中控制所述基座到达隔离位置，在所述隔离位置，所述基座与所述隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离；其中，当所述基座未到达隔离位置时，所述第二升降板保持与所述结合件贴合，所述弹性件保持处于所述第一压缩状态，所述第一升降板和所述第二升降板之间保持第一距离；当所述基座到达隔离位置时，所述第二升降板与所述结合件分离，并且所述弹性件处于第二压缩状态，所述第一升降板和所述第二升降板之间具有第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。
5、在本申请的一实施例中，所述基座调整机构还包括水平方向调整板，设置在所述结合件和所述竖直方向调整板之间，其中，所述水平方向调整板与所述升降杆可活动地连接；所述水平方向调整板与所述结合件沿水平方向可滑动地连接，所述水平方向调整板用于所述基座的对中调节；所述水平方向调整板与所述结合件沿竖直方向固定连接，所述竖直方向调整板用于所述基座的水平度调节和\或高度调节。
6、在本申请的一实施例中，所述水平方向调整板包括第一水平方向调整板和第二水平方向调整板，其中，所述第一水平方向调整板与所述结合件沿第一水平方向可滑动地连接，并且与所述第二水平方向调整板沿第二水平方向可滑动地连接，所述第一水平方向垂直于所述第二水平方向。
7、在本申请的一实施例中，所述基座调整机构还包括第一滑块，所述第一滑块固定设置在所述第一水平方向调整板的上表面，所述结合件的下表面包括沿第一水平方向延伸的第一滑槽，所述第一滑块设置在所述第一滑槽中。
8、在本申请的一实施例中，所述基座调整机构还包括第二滑块，所述第二滑块固定设置在所述第一水平方向调整板的下表面，所述第二水平方向调整板的上表面包括沿第二水平方向延伸的第二滑槽，所述第二滑块设置在所述第二滑槽中。
9、在本申请的一实施例中，所述基座调整机构还包括第一水平方向调整件和第一固定块，所述第一固定块固定设置在所述第一水平方向调整板的上表面，所述结合件上包括沿竖直方向贯穿所述结合件的第一限位孔，所述第一固定块容纳在所述第一限位孔中，所述第一水平方向调整件与所述第一固定块连接，所述第一水平方向调整件被控制沿所述第一水平方向移动时带动所述第一固定块移动，使所述第一滑块在所述第一滑槽中移动并带动所述第一水平方向调整板移动。
10、在本申请的一实施例中，所述第一固定块中包括第一螺纹孔，所述结合件上包括第一侧开口，所述第一水平方向调整件穿过所述第一侧开口并与所述第一固定块螺纹连接，其中，当所述第一水平方向调整件被旋转时，所述第一固定块被所述第一水平方向调整件推动。
11、在本申请的一实施例中，所述基座调整机构还包括第二水平方向调整件和第二固定块，所述第二固定块固定设置在所述第一水平方向调整板的下表面，所述第二水平方向调整板上包括沿竖直方向贯穿所述第二水平方向调整板的第二限位孔，所述第二固定块容纳在所述第二限位孔中，所述第二水平方向调整件与所述第二固定块连接，所述第二水平方向调整件被控制沿所述第二水平方向移动时带动所述第二固定块移动，使所述第二滑块在所述第二滑槽中移动并带动所述第二水平方向调整板移动。
12、在本申请的一实施例中，所述第二固定块中包括第二螺纹孔，所述第二水平方向调整板上包括第二侧开口，所述第二水平方向调整件穿过所述第二侧开口并与所述第二固定块螺纹连接，其中，当所述第二水平方向调整件被旋转时，所述第二固定块被所述第二水平方向调整件推动。
13、在本申请的一实施例中，所述竖直方向调整板包括至少3个水平度调整件，所述水平度调整件用于调整所述竖直方向调整板的水平度。
14、在本申请的一实施例中，所述水平度调整件包括调节螺钉。
15、本申请的基座调节装置包括升降机构和基座调整机构，该升降机构通过设置第一升降板、第二升降板和弹性件，使得基座在上升过程中的机械误差被弹性件吸收，使基座所到达的预设位置更加准确，位置精度高、且重复性好，弹性件的缓冲作用还可以避免基座在与隔板接触时产生的晃动，维持基座的稳定性。基座调整机构还能够对基座的对中度和水平度进行调节，保证基座在每次工艺中的对中度和水平度都符合工艺要求，以提高工艺稳定性，从而提高产品良率。
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1.一种用于半导体反应腔的基座调节装置，所述半导体反应腔包括腔室、用于承载基片的基座和设置在基座底部的升降杆，所述基座由升降杆带动以在所述腔室内升降移动，其特征在于，包括依次设置在所述基座下方的升降机构和基座调整机构，其中，
2.如权利要求1所述的基座调节装置，其特征在于，当所述弹性件处于第一压缩状态时具有第一压缩力，所述第一压缩力大于所述基座、所述升降杆、所述结合件和所述基座调整机构的重力之和。
3.如权利要求1所述的基座调节装置，其特征在于，所述腔室包括用于处理基片的上腔室和用于传输基片的下腔室，所述上腔室和所述下腔室之间具有隔板，所述升降机构还用于在所述基座的上升过程中控制所述基座到达隔离位置，在所述隔离位置，所述基座与所述隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离；其中，当所述基座未到达隔离位置时，所述第二升降板保持与所述结合件贴合，所述弹性件保持处于所述第一压缩状态，所述第一升降板和所述第二升降板之间保持第一距离；当所述基座到达隔离位置时，所述第二升降板与所述结合件分离，并且所述弹性件处于第二压缩状态，所述第一升降板和所述第二升降板之间具有第二距离
4.如权利要求1所述的基座调节装置，其特征在于，所述基座调整机构还包括水平方向调整板，设置在所述结合件和所述竖直方向调整板之间，其中，所述水平方向调整板与所述升降杆可活动地连接；所述水平方向调整板与所述结合件沿水平方向可滑动地连接，所述水平方向调整板用于所述基座的对中调节；所述水平方向调整板与所述结合件沿竖直方向固定连接，所述竖直方向调整板用于所述基座的水平度调节和\或高度调节。
5.如权利要求4所述的基座调节装置，其特征在于，所述水平方向调整板包括第一水平方向调整板和第二水平方向调整板，其中，所述第一水平方向调整板与所述结合件沿第一水平方向可滑动地连接，并且与所述第二水平方向调整板沿第二水平方向可滑动地连接，所述第一水平方向垂直于所述第二水平方向。
6.如权利要求5所述的基座调节装置，其特征在于，所述基座调整机构还包括第一滑块，所述第一滑块固定设置在所述第一水平方向调整板的上表面，所述结合件的下表面包括沿第一水平方向延伸的第一滑槽，所述第一滑块设置在所述第一滑槽中。
7.如权利要求6所述的基座调节装置，其特征在于，所述基座调整机构还包括第二滑块，所述第二滑块固定设置在所述第一水平方向调整板的下表面，所述第二水平方向调整板的上表面包括沿第二水平方向延伸的第二滑槽，所述第二滑块设置在所述第二滑槽中。
8.如权利要求7所述的基座调节装置，其特征在于，所述基座调整机构还包括第一水平方向调整件和第一固定块，所述第一固定块固定设置在所述第一水平方向调整板的上表面，所述结合件上包括沿竖直方向贯穿所述结合件的第一限位孔，所述第一固定块容纳在所述第一限位孔中，所述第一水平方向调整件与所述第一固定块连接，所述第一水平方向调整件被控制沿所述第一水平方向移动时带动所述第一固定块移动，使所述第一滑块在所述第一滑槽中移动并带动所述第一水平方向调整板移动。
9.如权利要求8所述的基座调节装置，其特征在于，所述第一固定块中包括第一螺纹孔，所述结合件上包括第一侧开口，所述第一水平方向调整件穿过所述第一侧开口并与所述第一固定块螺纹连接，其中，当所述第一水平方向调整件被旋转时，所述第一固定块被所述第一水平方向调整件推动。
10.如权利要求7所述的基座调节装置，其特征在于，所述基座调整机构还包括第二水平方向调整件和第二固定块，所述第二固定块固定设置在所述第一水平方向调整板的下表面，所述第二水平方向调整板上包括沿竖直方向贯穿所述第二水平方向调整板的第二限位孔，所述第二固定块容纳在所述第二限位孔中，所述第二水平方向调整件与所述第二固定块连接，所述第二水平方向调整件被控制沿所述第二水平方向移动时带动所述第二固定块移动，使所述第二滑块在所述第二滑槽中移动并带动所述第二水平方向调整板移动。
11.如权利要求10所述的基座调节装置，其特征在于，所述第二固定块中包括第二螺纹孔，所述第二水平方向调整板上包括第二侧开口，所述第二水平方向调整件穿过所述第二侧开口并与所述第二固定块螺纹连接，其中，当所述第二水平方向调整件被旋转时，所述第二固定块被所述第二水平方向调整件推动。
12.如权利要求1所述的基座调节装置，其特征在于，所述竖直方向调整板包括至少3个水平度调整件，所述水平度调整件用于调整所述竖直方向调整板的水平度。
13.如权利要求12所述的基座调节装置，其特征在于，所述水平度调整件包括调节螺钉。
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体反应腔的基座调节装置，所述半导体反应腔包括腔室、用于承载基片的基座和设置在基座底部的升降杆，所述基座由升降杆带动以在所述腔室内升降移动，其特征在于，包括依次设置在所述基座下方的升降机构和基座调整机构，其中，
2.如权利要求1所述的基座调节装置，其特征在于，当所述弹性件处于第一压缩状态时具有第一压缩力，所述第一压缩力大于所述基座、所述升降杆、所述结合件和所述基座调整机构的重力之和。
3.如权利要求1所述的基座调节装置，其特征在于，所述腔室包括用于处理基片的上腔室和用于传输基片的下腔室，所述上腔室和所述下腔室之间具有隔板，所述升降机构还用于在所述基座的上升过程中控制所述基座到达隔离位置，在所述隔离位置，所述基座与所述隔板相接触以使上腔室和下腔室相互流体隔离；其中，当所述基座未到达隔离位置时，所述第二升降板保持与所述结合件贴合，所述弹性件保持处于所述第一压缩状态，所述第一升降板和所述第二升降板之间保持第一距离；当所述基座到达隔离位置时，所述第二升降板与所述结合件分离，并且所述弹性件处于第二压缩状态，所述第一升降板和所述第二升降板之间具有第二距离，所述第二距离小于所述第一距离。
4.如权利要求1所述的基座调节装置，其特征在于，所述基座调整机构还包括水平方向调整板，设置在所述结合件和所述竖直方向调整板之间，其中，所述水平方向调整板与所述升降杆可活动地连接；所述水平方向调整板与所述结合件沿水平方向可滑动地连接，所述水平方向调整板用于所述基座的对中调节；所述水平方向调整板与所述结合件沿竖直方向固定连接，所述竖直方向调整板用于所述基座的水平度调节和\或高度调节。
5.如权利要求4所述的基座调节装置，其特征在于，所述水平方向调整板包括第一水平方向调整板和第二水平方向调整板，其中，所述第一水平方向调整板与所述结合件沿第一水平方向可滑动地连接，并且与所述第二水平方向调整板沿第二水平方向可滑动地连接，所述第一水平方向垂直于所述第二水平方向。
6.如权利要求5所述的基座调节装置，其特征在于，所述基座调整机构还包括第一滑块，所述第一滑块固定设置在所述第一水平方向调整板的上表面，所述结合件的下表面包括沿第一水平方向延伸的第一滑槽，所述第一滑块设置在所述第一滑槽中。
7.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：董斌，赵帆，卞达开，罗际蔚，
申请(专利权)人：研微江苏半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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