【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及半导体设备领域，尤其涉及一种气体传输组件和半导体处理装置。
技术介绍
1、原子层沉积(atomic layer deposition,ald)是通过将气相前驱体以交替脉冲通入反应室并在基体表面发生气固相化学吸附反应形成薄膜的一种方法。等离子增强原子层沉积((plasma enhanced atomic layer deposition，peald))是在ald的基础上引入等离子体的一种沉积成膜方法。由于等离子体是具有高能量和活性的物质，技术人员在引入等离子体之后解决了较低温度下反应物分子难以在表面上发生化学反应形成一层均匀、致密的薄膜的问题。一般的，peald成膜会采用将反应气体(一种气相前驱体和一种等离子气体源)以交替脉冲通入的形式，形成原子层沉积(ald)模式的成膜。现有技术中，为了让电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma，ccp)腔体内的环境(气流、压力、热场等)处于一个相对稳定的状态，通常不会用阀门的通断去控制反应气体的流入与停止，而是会让反应气体保持恒定的流量通入腔体，而后在ccp电极上加载射频电压，用控制射频电压的通断去控制等离子气体源激发或不激发成等离子体以达到控制反应的目的。但是，在实际的生产过程中，有可能需要使用多种反应气体(包括多种气相前驱体)进行沉积成膜，例如需要沉积多元膜，或者需要进行原位掺杂。这时，这些通入气体的浓度和速度往往都难以控制，不利于反应的进行。现有技术无法在维持反应环境的稳定性前提下，实现多种反应气体的快速切换并满足多种气体通入时对气体的流量、
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是一种用于半导体处理的气体传输组件，可以在反应时控制多种反应气体的协同传输并保持反应环境的稳定性。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种用于半导体处理的气体传输组件，包括加热基座、第一进气模块、第二进气模块、第一阀块组、第二阀块组和出气模块，所述第一进气模块嵌设在所述加热基座中，所述第一进气模块的内部具有多个第一进气通道；所述第二进气模块设置在所述第一进气模块的上方，所述第二进气模块的内部具有多个第二进气通道；所述出气模块嵌设在所述加热基座中，所述出气模块的内部具有出气通道；所述第一阀块组和所述第二阀块组设置在所述加热基座的上方，所述第一阀块组包括多个第一阀块，所述多个第一阀块分别用于控制所述多个第一进气通道的通断；所述第二阀块组中包括多个第二阀块，所述多个第二阀块分别用于控制所述多个第二进气通道的通断；其中，所述多个第一进气通道用于通入反应气体，所述多个第二进气通道用于通入吹扫气体。
3、在本申请的一实施例中，每个所述第一进气通道分别具有第一进口，所述第一进口暴露于所述第一进气模块的上表面。
4、在本申请的一实施例中，每个所述第二进气通道分别具有第二进口，所述第二进口暴露于所述第二进气模块的上表面。
5、在本申请的一实施例中，所述第一进气模块位于所述加热基座的第一端，所述第二进口位于所述第二进气模块的第一端，其中，所述第二进气模块的第一端靠近所述加热基座的第一端。
6、在本申请的一实施例中，所述第一进气通道在入口端包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段之间具有第一夹角，所述第一进口位于所述第一段的第一端口。
7、在本申请的一实施例中，所述第一进气模块的上表面与所述加热基座的上表面平齐。
8、在本申请的一实施例中，所述出气模块的上表面与所述加热基座的上表面平齐。
9、在本申请的一实施例中，所述出气通道在出口端包括第一段和第二段，所述第一段和所述第二段之间具有第二夹角。
10、在本申请的一实施例中，还包括导流通道，所述出气通道的第二段在所述加热基座的上表面具有第二出口，所述导流通道与所述第二出口相连接，所述导流通道用于与半导体处理装置的进气歧管连通。
11、在本申请的一实施例中，所述导流通道包括相互连通的第一导流通道和第二导流通道，所述第一导流通道设置在所述加热基座的上方，所述第二导流通道设置在所述加热基座的内部，所述第一导流通道的第一端与所述第二出口相连接。
12、本申请为解决上述技术问题还提出一种半导体处理装置，包括反应腔、进气歧管和如前所述的气体传输组件，所述进气歧管具有一歧管进口，所述气体传输组件设置在所述进气歧管上，所述出气通道与所述歧管进口连通，所述进气歧管用于向所述反应腔提供来自所述出气通道的气体。
13、本申请提供了一种用于半导体处理的气体传输组件和半导体处理装置。该气体传输组件包括加热基座、第一进气模块、第二进气模块、第一阀块组、第二阀块组和出气模块。其中，第一进气模块的内部具有多个第一进气通道，第二进气模块的内部具有多个第二进气通道，第一阀块组中的多个第一阀块与多个第一进气通道一一对应，第二阀块组中的多个第二阀块与多个第二进气通道一一对应，这样的设置可以实现多种反应气体和吹扫气体的快速切换实现协同进气；同时，根据加热基座、第一进气模块、第一阀块组、第二阀块组和出气模块的结合设计，结构紧凑，便于安装；由加热基座统一加热，保持温场，能保持气流的平稳，从而使半导体反应腔的压力不受影响。
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1.一种用于半导体处理的气体传输组件，其特征在于，包括加热基座(110)、第一进气模块(120)、第二进气模块(130)、第一阀块组(140)、第二阀块组(150)和出气模块(160)，
2.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，每个所述第一进气通道(121a、121b)分别具有第一进口(1211a、1211b)，所述第一进口(1211a、1211b)暴露于所述第一进气模块(120)的上表面。
3.如权利要求2所述的气体传输组件，其特征在于，每个所述第二进气通道(131a、131b)分别具有第二进口(1311a、1311b)，所述第二进口(1311a、1311b)暴露于所述第二进气模块(130)的上表面。
4.如权利要求3所述的气体传输组件，其特征在于，所述第一进气模块(120)位于所述加热基座(110)的第一端(1101)，所述第二进口(1311a、1311b)位于所述第二进气模块(130)的第一端(1301)，其中，所述第二进气模块(130)的第一端(1301)靠近所述加热基座(110)的第一端(1101)。
5.如权利要
6.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，所述第一进气模块(120)的上表面与所述加热基座(110)的上表面平齐。
7.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，所述出气模块(160)的上表面与所述加热基座(110)的上表面平齐。
8.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，所述出气通道(161)在出口端包括第一段(1611)和第二段(1612)，所述第一段(1611)和所述第二段(1612)之间具有第二夹角(θ2)。
9.如权利要求8所述的气体传输组件，其特征在于，还包括导流通道(170)，所述出气通道(161)的第二段(1612)在所述加热基座(110)的上表面具有第二出口(1613)，所述导流通道(170)与所述第二出口(1613)相连接，所述导流通道(170)用于与半导体处理装置(200)的进气歧管(240)连通。
10.如权利要求9所述的气体传输组件，其特征在于，所述导流通道(170)包括相互连通的第一导流通道(171)和第二导流通道(172)，所述第一导流通道(171)设置在所述加热基座(110)的上方，所述第二导流通道(172)设置在所述加热基座(110)的内部，所述第一导流通道(171)的第一端(1711)与所述第二出口(1613)相连接。
11.一种半导体处理装置，其特征在于，包括反应腔(230)、进气歧管(240)和如权利要求1-10任一项所述的气体传输组件(100)，所述进气歧管(240)具有一歧管进口(241)，所述气体传输组件(100)设置在所述进气歧管(240)上，所述出气通道(161)与所述歧管进口(241)连通，所述进气歧管(240)用于向所述反应腔(230)提供来自所述出气通道(161)的气体。
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体处理的气体传输组件，其特征在于，包括加热基座(110)、第一进气模块(120)、第二进气模块(130)、第一阀块组(140)、第二阀块组(150)和出气模块(160)，
2.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，每个所述第一进气通道(121a、121b)分别具有第一进口(1211a、1211b)，所述第一进口(1211a、1211b)暴露于所述第一进气模块(120)的上表面。
3.如权利要求2所述的气体传输组件，其特征在于，每个所述第二进气通道(131a、131b)分别具有第二进口(1311a、1311b)，所述第二进口(1311a、1311b)暴露于所述第二进气模块(130)的上表面。
4.如权利要求3所述的气体传输组件，其特征在于，所述第一进气模块(120)位于所述加热基座(110)的第一端(1101)，所述第二进口(1311a、1311b)位于所述第二进气模块(130)的第一端(1301)，其中，所述第二进气模块(130)的第一端(1301)靠近所述加热基座(110)的第一端(1101)。
5.如权利要求2所述的气体传输组件，其特征在于，所述第一进气通道(121a、121b)在入口端包括第一段(1212a、1212b)和第二段(1213a、1213b)，所述第一段(1212a、1212b)和所述第二段(1213a、1213b)之间具有第一夹角(θ1)，所述第一进口(1211a、1211b)位于所述第一段(1212a、1212b)的第一端口。
6.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，所述第一进气模块(120)的上表面与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：许正昱，苏扬扬，韩萍，胡克咸，
申请(专利权)人：研微江苏半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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