气体传输组件和半导体处理装置制造方法及图纸

提供了一种气体传输组件和半导体处理装置。该组件包括加热基座、第一进气模块、第二进气模块、第一阀块组、第二阀块组和出气模块，第一进气模块嵌设在加热基座中，第一进气模块的内部具有多个第一进气通道；第二进气模块设置在第一进气模块的上方，第二进气模块的内部具有多个第二进气通道；出气模块嵌设在加热基座中，出气模块的内部具有出气通道；第一阀块组和第二阀块组设置在加热基座的上方，第一阀块组包括多个第一阀块，多个第一阀块分别用于控制多个第一进气通道的通断；第二阀块组中包括多个第二阀块，多个第二阀块分别用于控制多个第二进气通道的通断；其中，多个第一进气通道用于通入反应气体，多个第二进气通道用于通入吹扫气体。

【技术实现步骤摘要】

本申请主要涉及半导体设备领域，尤其涉及一种气体传输组件和半导体处理装置。

技术介绍

1、原子层沉积(atomic layer deposition,ald)是通过将气相前驱体以交替脉冲通入反应室并在基体表面发生气固相化学吸附反应形成薄膜的一种方法。等离子增强原子层沉积((plasma enhanced atomic layer deposition，peald))是在ald的基础上引入等离子体的一种沉积成膜方法。由于等离子体是具有高能量和活性的物质，技术人员在引入等离子体之后解决了较低温度下反应物分子难以在表面上发生化学反应形成一层均匀、致密的薄膜的问题。一般的，peald成膜会采用将反应气体(一种气相前驱体和一种等离子气体源)以交替脉冲通入的形式，形成原子层沉积(ald)模式的成膜。现有技术中，为了让电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma，ccp)腔体内的环境(气流、压力、热场等)处于一个相对稳定的状态，通常不会用阀门的通断去控制反应气体的流入与停止，而是会让反应气体保持恒定的流量通入腔体，而后在ccp电极上加载射频电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体处理的气体传输组件，其特征在于，包括加热基座(110)、第一进气模块(120)、第二进气模块(130)、第一阀块组(140)、第二阀块组(150)和出气模块(160)，

2.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，每个所述第一进气通道(121a、121b)分别具有第一进口(1211a、1211b)，所述第一进口(1211a、1211b)暴露于所述第一进气模块(120)的上表面。

3.如权利要求2所述的气体传输组件，其特征在于，每个所述第二进气通道(131a、131b)分别具有第二进口(1311a、1311b)，所述第二进口(1311a、131...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体处理的气体传输组件，其特征在于，包括加热基座(110)、第一进气模块(120)、第二进气模块(130)、第一阀块组(140)、第二阀块组(150)和出气模块(160)，

2.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，每个所述第一进气通道(121a、121b)分别具有第一进口(1211a、1211b)，所述第一进口(1211a、1211b)暴露于所述第一进气模块(120)的上表面。

3.如权利要求2所述的气体传输组件，其特征在于，每个所述第二进气通道(131a、131b)分别具有第二进口(1311a、1311b)，所述第二进口(1311a、1311b)暴露于所述第二进气模块(130)的上表面。

4.如权利要求3所述的气体传输组件，其特征在于，所述第一进气模块(120)位于所述加热基座(110)的第一端(1101)，所述第二进口(1311a、1311b)位于所述第二进气模块(130)的第一端(1301)，其中，所述第二进气模块(130)的第一端(1301)靠近所述加热基座(110)的第一端(1101)。

5.如权利要求2所述的气体传输组件，其特征在于，所述第一进气通道(121a、121b)在入口端包括第一段(1212a、1212b)和第二段(1213a、1213b)，所述第一段(1212a、1212b)和所述第二段(1213a、1213b)之间具有第一夹角(θ1)，所述第一进口(1211a、1211b)位于所述第一段(1212a、1212b)的第一端口。

6.如权利要求1所述的气体传输组件，其特征在于，所述第一进气模块(120)的上表面与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许正昱，苏扬扬，韩萍，胡克咸，
申请(专利权)人：研微江苏半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：