【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，半导体器件的尺寸持续减小，半导体器件制造过程中的光刻工艺精度也不断提升。
2、在场效应晶体管器件中，通过导电插塞将晶体管与外部电路相连通。在目前的工艺中，通常使用多重曝光刻蚀技术(litho-etch-litho-etch,简称lele)进行通孔刻蚀，实现小尺寸导电插塞制备。
3、然而，随着集成电路制造工艺持续微缩，通过多重曝光刻蚀技术进行通孔刻蚀的过程中，工艺难度很大，且引入的结构缺陷较多，导致工艺窗口小，器件性能有待提升。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种半导体结构的形成方法，降低了工艺难度，减少了结构缺陷，改善了工艺窗口和器件性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括:提供衬底；形成若干器件结构，所述器件结构包括：栅极、位于栅极周围的层间介质层、位于栅极两侧的源漏区以及位于所述源漏区上的源漏...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜结构内的掩膜开口在第一方向上的尺寸大于所述第一材料层在第一方向上的尺寸；所述掩膜开口在第一方向上的尺寸大于所述隔离介质层在第一方向上的尺寸；所述第一方向平行于所述衬底表面。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜开口暴露出部分所述第一材料层、部分所述隔离介质层或同时暴露出部分第一材料层以及部分隔离介质层。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一材料层和所述第二材料层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜结构内的掩膜开口在第一方向上的尺寸大于所述第一材料层在第一方向上的尺寸；所述掩膜开口在第一方向上的尺寸大于所述隔离介质层在第一方向上的尺寸；所述第一方向平行于所述衬底表面。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜开口暴露出部分所述第一材料层、部分所述隔离介质层或同时暴露出部分第一材料层以及部分隔离介质层。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一材料层和所述第二材料层的方法包括：在所述层间介质层上形成若干分立的第一芯轴结构；以自对准方式在各所述第一芯轴结构两侧形成第一材料层，所述第一材料层位于所述源漏电接触层上；去除所述第一芯轴结构；
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料层形成于所述第一芯轴结构侧壁表面；去除所述第一芯轴结构后，所述第二材料层形成于所述第一材料层侧壁表面。
6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一芯轴结构与层间介质层之间具有第一初始介质层；所述第一材料层的形成方法还包括：在所述第一芯轴结构侧壁表面形成第一侧墙；去除所述第一芯轴结构；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述第一初始介质层，以形成第一材料层。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料层在所述衬底表面的投影图形为第一图形，所述源漏电接触层在所述衬底表面的投影图形为第二图形，所述第一图形与...
【专利技术属性】
技术研发人员：司进，殷立强，宁倩玉，崇二敏，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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