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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；形成若干器件结构，器件结构包括：栅极、位于栅极周围的层间介质层、位于栅极两侧的源漏区以及位于源漏区上的源漏电接触层；采用自对准多重图形化工艺形成位于源漏电接触层上的第一材料层和位于第一材料层侧壁表面...
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