一种半导体器件制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括栅极，位于外延结构远离衬底的一侧；栅极沿第一方向延伸，栅极包括相互连接的第一栅极分部和第二栅极分部；至少一个栅极连接结构，位于栅极远离衬底的一侧；栅极连接结构包括相互连接的第一栅极连接分部和第二栅极连接分部，第二栅极连接分部位于无源区；沿半导体器件的厚度方向，第一栅极连接分部与第一栅极分部至少部分交叠，第二栅极连接分部与第二栅极分部至少部分交叠且第二栅极连接分部与至少部分第二栅极分部电连接。本发明专利技术提供的半导体器件，通过栅极连接结构与至少部分栅极电连接，能够降低栅极电阻的影响，提高增益以及提高器件开关速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件。

技术介绍

1、半导体材料氮化镓由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，已经成为目前的研究热点。在电子器件方面，氮化镓材料比硅和砷化镓更适合于制造高温、高频、高压和大功率器件，具有广阔的应用前景，已成为目前半导体行业研究的热点。

2、在5g通信领域，对于半导体射频器件的带宽和高频要求很高，而栅极结构设计和工艺流程与半导体器件的频率特性有密切的关系，直接影响半导体器件的工作频率。因此，在半导体器件的设计和制备过程中，栅极结构的设计尤为重要，对半导体器件的可靠性和工作性能的稳定性，起到关键作用。

3、对于氮化镓射频功率放大器来说，实现提高器件的功率和增益特性的平衡是应用电路所要求的，也是氮化镓射频芯片所追求的。具体来说，传统集成电路氮化镓射频芯片设计中，栅极供电位于器件单侧，而栅极的另一侧供电会受到栅极电阻的影响而降低，会造成增益显著降低的问题。因此，如何在满足进一步提高半导体器件的带宽和高频性能的同时提高半导体器件的增益，实现功率放大器的性能平衡成为目前急需解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极连接结构的面积大于所述栅极的面积。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极连接结构的面积为S1，所述栅极的面积为S2；

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，沿所述半导体器件的厚度方向，所述栅极连接结构覆盖所述栅极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述第二栅极分部包括第一子部和第二子部，所述第一子部位于所述第二子部远离所述有源区的一侧，且沿第二方向，所述第一子部的尺寸大于所述第二子...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极连接结构的面积大于所述栅极的面积。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极连接结构的面积为s1，所述栅极的面积为s2；

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，沿所述半导体器件的厚度方向，所述栅极连接结构覆盖所述栅极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述第二栅极分部包括第一子部和第二子部，所述第一子部位于所述第二子部远离所述有源区的一侧，且沿第二方向，所述第一子部的尺寸大于所述第二子部的尺寸；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行；

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱洪途，吴自力，韩啸，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：