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本发明实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括栅极，位于外延结构远离衬底的一侧；栅极沿第一方向延伸，栅极包括相互连接的第一栅极分部和第二栅极分部；至少一个栅极连接结构，位于栅极远离衬底的一侧；栅极连接结构包括相互连接的第一栅极连接分部和...
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