【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及沉积膜的形成方法。
技术介绍
1、在半导体组件的制造过程中，有使用蚀刻装置使气体进行等离子体化而产生等离子体，对半导体基板进行蚀刻和沉积的情况。有助于蚀刻、沉积的反应的等离子体的活性种(自由基)，具有通过在被施加偏压功率的对向电极之间产生的电位差，被拉引至形成在上述对向电极间的电场的方向的性质。该性质被称为各向异性。
2、当使用蚀刻装置进行沉积时，在形成在半导体基板上的图案的头顶面和侧壁面、以及半导体基板的表面之中未形成有图案的部分会堆积沉积，而形成覆盖图案的表面和半导体基板的表面的沉积膜。例如，在专利文献1～3，公开了在形成有图案的半导体基板上形成沉积膜的方法。
3、专利文献
4、[现有技术文献]
5、[专利文献]
6、[专利文献1]日本专利公开公报2009年第290079号
7、[专利文献2]日本专利公开公报2010年第153702号
8、[专利文献3]日本专利公开公报2012年第231162号
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种沉积膜的形成方法，是在形成有图案的基板上形成沉积膜的方法，
2.如权利要求1所述的沉积膜的形成方法，所述不饱和卤化烃的所述碳原子的数量为2个。
3.如权利要求1或2所述的沉积膜的形成方法，所述不饱和卤化烃是以化学式C2HxBrF(3-x)表示的不饱和化合物，所述化学式中的x为0、1或2。
4.如权利要求1或2所述的沉积膜的形成方法，所述沉积气体还含有非活性气体。
5.如权利要求4所述的沉积膜的形成方法，所述非活性气体为氮气、氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的至少一种。
6.如权利要求1或2所述的沉积膜的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种沉积膜的形成方法，是在形成有图案的基板上形成沉积膜的方法，
2.如权利要求1所述的沉积膜的形成方法，所述不饱和卤化烃的所述碳原子的数量为2个。
3.如权利要求1或2所述的沉积膜的形成方法，所述不饱和卤化烃是以化学式c2hxbrf(3-x)表示的不饱和化合物，所述化学式中的x为0、1或2。
4.如权利要求1或2所述的沉积膜的形成方法，所述沉积气体还含有非活性气体。
5.如权利要求4所述的沉积膜的形成方法，所述非活性气体为氮气、氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的至少一种。
6.如权利要求1或2所述的沉积膜的形成方法，所述沉积气体还含有选自氟碳类、氢氟烃和氢气中的至少一种。
7.如权利要求6所述的沉积膜的形成方法，所述氟碳类为四氟化碳、六氟...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤大辅，冈优希，谷胁萌，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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