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本发明提供能够形成膜厚的均匀性提高了的沉积膜的沉积膜形成方法。沉积膜的形成方法是在形成有图案(22)的基板(21)上形成沉积膜的方法，具备在电极上载置基板(21)、在对电极施加偏压功率或不施加偏压功率的状态下使用使沉积气体进行等离子体化而获...
该专利属于株式会社力森诺科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社力森诺科授权不得商用。

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