用于半导体制造设备的陶瓷加热器制造技术

公开了一种用于半导体制造设备的陶瓷加热器，该陶瓷加热器具有优于用于半导体制造设备的普通陶瓷加热器的高温下的体积电阻率和室温下的热导率。该用于半导体制造设备的陶瓷加热器包括：陶瓷基板，其包括a)氮化铝(AIN)、b)氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)和尖晶石(MgAl2O4)当中的至少一种、c)氧化钙(CaO)和d)二氧化钛(TiO2)；以及电阻加热元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本申请要求基于2021年11月19日提交的韩国专利申请no.10-2021-0160465和2022年10月4日提交的韩国专利申请no.10-2022-0126575的优先权，其完整内容通过引用并入本文。本专利技术涉及半导体制造设备中使用的陶瓷加热器，更具体地，涉及一种用于半导体制造设备的陶瓷加热器，其与用于半导体制造设备的传统陶瓷加热器相比在高温下具有优异的体积电阻率并且在室温下具有优异的热导率。

技术介绍

1、半导体制造设备中使用的用于pecvd或cvd工艺的加热器包括陶瓷基板和电阻加热元件。在这些当中，陶瓷基板应该具有等离子体抗性和在低温和高温下的高体积电阻率，以改进晶圆沉积工艺中的生产率。因此，已提出氮化铝(aln)作为陶瓷基板的主要组分。这种氮化铝在高温下稳定，并且具有诸如电绝缘和导热性的优异物理性质。另外，由于氮化铝具有类似于硅的热膨胀系数，所以它主要用在高温下需要高电阻的半导体制造设备中。

2、此外，最近，在半导体工艺中，正在向工艺和大直径设备的小型化发展以改进产率，但是由于工艺和大直径设备的这种小型化，在半导体制造工艺期间出现各本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体制造设备的陶瓷加热器，该陶瓷加热器包括：

2.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板包括氮化铝、氧化镁、氧化铝、氧化钙和二氧化钛。

3.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板包括氮化铝、尖晶石、氧化钙和二氧化钛。

4.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板包括氮化铝、氧化镁、氧化铝、尖晶石、氧化钙和二氧化钛。

5.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷加热器在500℃下具有1.0E+10Ω·cm至9.0E+10Ω·cm的体积电阻率。

6.根据权利要求1所述的陶瓷加热器...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于半导体制造设备的陶瓷加热器，该陶瓷加热器包括：

2.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板包括氮化铝、氧化镁、氧化铝、氧化钙和二氧化钛。

3.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板包括氮化铝、尖晶石、氧化钙和二氧化钛。

4.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板包括氮化铝、氧化镁、氧化铝、尖晶石、氧化钙和二氧化钛。

5.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷加热器在500℃下具有1.0e+10ω·cm至9.0e+10ω·cm的体积电阻率。

6.根据权利要求1所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷加热器在650℃下具有1.0e+9ω·cm至8.0e+9ω·cm的体积电阻率。

7.根据权利要求2所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板包括0.1wt％至10wt％的氧化镁、0.05wt％至5wt％的氧化铝、0.01wt％至4wt％的氧化钙、0.01wt％至7wt％的二氧化钛和剩余氮化铝。

8.根据权利要求3所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板包括1wt％至12wt％的尖晶石、0.01wt％至4wt％的氧化钙、0.01wt％至7wt％的二氧化钛和剩余氮化铝。

9.根据权利要求4所述的陶瓷加热器，其中，所述陶瓷基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：金允镐，金周焕，朴桓宁，金甫星，
申请(专利权)人：KSM元件株式会社，
类型：发明
国别省市：