陶瓷基座及其制造方法技术

本发明专利技术公开了陶瓷基座及其制造方法，该陶瓷基座与通常的陶瓷基座相比，尤其是高温下的体积电阻和常温下的导热率优异。所述陶瓷基座包含氧化铝(Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;)和氮化铝(AlN)，不包含包括氮氧化铝相(AlON phase)在内的第二相。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷基座及其制造方法，更详细地涉及一种尤其是高温下的体积电阻和常温下的导热率比通常的陶瓷基座优异的陶瓷基座及其制造方法。

技术介绍

1、随着半导体工艺日益微细化和高集成化，不可避免地使用高功率等离子体(plasma)。因此，在半导体元件的蚀刻或者其他用于实现超微细形状的工艺领域中，广泛使用利用高温等离子体的真空等离子体设备。而且，作为这些真空等离子体设备，例如有：通过利用等离子体的化学蒸镀法在基板上形成蒸镀膜的pecvd(plasma enhanced chemicalvapour deposition；等离子体增强化学气相沉积)设备；以物理方式形成蒸镀膜的溅射设备；以及用于将基板或涂敷于基板上的物质蚀刻成特定图案的干法蚀刻设备。

2、但是，由于在真空等离子体设备的内部产生高温等离子体，因此腔体及其内部所具备的零部件必然会受损。并且，从腔体及其内部所具备的零部件的表面产生特定元素以及污染粒子，很可能会污染腔体的内部。尤其是在等离子体蚀刻设备中，由于在等离子体气氛下注入f、cl等反应性气体，因此腔体的内壁及其内部零部件只能处于极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种陶瓷基座，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，

9.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

10.一种陶瓷基座，其特征在于，

11.根据权利要求10所...

【技术特征摘要】

1.一种陶瓷基座，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

7.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的陶瓷基座，其特征在于，

9.根据权利要求3所述的陶瓷基座，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：金允镐，金周焕，朴桓宁，金甫星，李炫泽，
申请(专利权)人：KSM元件株式会社，
类型：发明
国别省市：