一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包括水、氧化物研磨颗粒、催化剂、稳定剂、氧化剂和pH调节剂，其中，所述氧化物研磨颗粒表面由有机官能团修饰。本发明专利技术中的化学机械抛光液，通过在研磨颗粒表面修饰官能团，能够在不影响抛光液对钨等材料的抛光速率的前提下，有效减少抛光后晶圆表面的缺陷，有效改善抛光后晶圆表面的形貌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液。

技术介绍

1、现代半导体技术使器件高度微小化成为现实。集成电路硅基板上可以集成数以亿计的元件。这些元件通过导线和多层互连件形成互连结构。物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)和电化学镀敷(ecp)等技术被运用于这些材料薄层的制备。随着多层材料的沉积和去除，晶片的最上表面变得不平坦。这些不平坦可能导致产品的各种缺陷，因此导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得至关重要。二十世纪80年代，由ibm公司首创的化学机械抛光(cmp)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光由化学作用、机械作用以及两种作用结合而成。通常，晶片被固定于研磨头上，并将其正面与cmp设备中的抛光垫接触。在一定压力下，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，在晶片和抛光垫之间以一定流量注入抛光组合物(“浆料”)，浆料因离心作用平铺在抛光垫上。于是，在化学和机械的双重作用下，晶片表面被抛光并实现全局平坦化。cmp可用于去除不需要的表面形貌和表面缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械抛光液，其特征在于，包括

2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

3.如权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，

4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

6.如权利要求5所述的化学机械抛光液，其特征在于，

7.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

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9.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种化学机械抛光液，其特征在于，包括

2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

3.如权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，

4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

6.如权利要求5所述的化学机械抛光液，其特征在于，

7.如权利要求1所述的化学机械抛光...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭芸，王淑超，王桢炜，杨越海，李星，郁夏盈，王晨，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：