一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒，钨速度抑制剂，pH调节剂和水。本发明专利技术中提出的化学机械抛光液可以在碱性条件下显著抑制钨的去除速率，从而提供各种材料的移除的相应选择性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液。

技术介绍

1、现代芯片技术的快速发展极大促进了集成电路元件的微型化进程，为确保纳米尺度下电路元件的正常分布和有效运行，晶片表面的平坦化程度也必须达到相应的量级。目前实现这一目标最有效的方法就是化学机械抛光(cmp)技术。

2、半导体晶片通常包括其上已形成了多个晶体管的基板，诸如硅或砷化镓。通过将基板中的区域及基板上的层图案化而将晶体管化学和物理连接到基板。晶体管和层通过主要包含某种形式的二氧化硅(sio2)的层间电介质(ild)隔开。晶体管通过使用公知的多级互连而互相连接。典型的多级互连包含由下列材料中的一种或多种所组成的堆叠薄膜：钛(ti)、氮化钛(tin)、钽(ta)、铝-铜(al-cu)、铝-硅(al-si)、铜(cu)、钨(w)、经掺杂的多晶硅(poly-si)、及其各种组合。另外，通常通过使用以绝缘材料诸如二氧化硅、氮化硅和或多晶硅填充的沟槽将晶体管或晶体管组彼此隔离。

3、化学机械抛光包含化学、机械两种作用。通常，晶片被固定于研磨头上，并将其正面与cmp设备中的抛本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械抛光液，其特征在于，包括研磨颗粒，钨速度抑制剂，pH调节剂和水。

2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

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9.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，<...

【技术特征摘要】

1.一种化学机械抛光液，其特征在于，包括研磨颗粒，钨速度抑制剂，ph调节剂和水。

2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁夏盈，郎鹏飞，董泽同，罗振宇，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：