一种化学机械抛光液及其用途制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、研磨颗粒稳定剂、腐蚀抑制剂、络合剂、氧化剂、pH调节剂和水。本发明专利技术中的一种化学机械抛光液，通过在抛光液中加入合适研磨颗粒稳定剂，抑制TEOS的去除速率，并提高Co/TEOS的选择比，同时减少晶圆表面划伤缺陷数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液及其用途。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由ibm公司首创的化学机械抛光(cmp)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(cmp)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台相同的运动方向旋转。与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。

2、随着芯片制造技术的不断更新，cu的电阻率会以指数形式增加，进而增加传输延迟。而具有更低电阻率的钴材料，是先进制程中cu的良好替代物。优良的钴的抛光液需要具备：具有较高的去除速率、极佳的腐蚀抑制性和良好的平坦化效率。钴的莫氏硬度大于铜的莫氏硬度，钴在酸性条件下极易发生腐蚀，而碱性条本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械抛光液，其特征在于，

2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

4.如权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的化学机械抛光液，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的化学机械抛光液，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种化学机械抛光液，其特征在于，

2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

4.如权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的化学机械抛光液，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，

8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：周靖宇，荆建芬，马健，周文婷，魏佳，王曦，李昀，李瑾琳，杨征，王欣，王乐，唐浩杰，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：