一种化学机械抛光液及其用途制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包括研磨颗粒、腐蚀抑制剂、络合剂、表面活性剂、氧化剂、pH调节剂和水。本发明专利技术中的化学机械抛光液通过添加合适的炔二醇类非离子表面活性剂，能够有效改善钴表面的腐蚀情况，提高钴的去除速率，显著降低钴的静态腐蚀速率，同时不影响钴的去除速率，满足实际抛光应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液及其用途。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由ibm公司首创的化学机械抛光(cmp)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(cmp)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台相同的运动方向旋转。与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。

2、随着芯片制造技术的不断更新，cu的电阻率会以指数形式增加，进而增加传输延迟。而具有更低电阻率的钴材料，是先进制程中cu的良好替代物。优良的钴的抛光液需要具备：具有较高的去除速率、极佳的腐蚀抑制性和良好的平坦化效率。钴的莫氏硬度大于铜的莫氏硬度，钴在酸性条件下极易发生腐蚀，而碱性条本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械抛光液，其特征在于，

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【技术特征摘要】

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【专利技术属性】
技术研发人员：周靖宇，马健，荆建芬，姚颖，杨俊雅，蔡鑫元，宋凯，汪国豪，邱欢，王正，杨征，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：