本发明专利技术涉及一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管，包括上层硅材料、下层硅材料，上层硅材料与下层硅材料之间设有氧化层作为器件的栅氧化层，其特征在于：背栅衬底设置于上层硅材料中，器件的源漏区制作在背栅衬底中，下层硅材料作为栅极来控制背栅衬底的沟道，源极和漏极直接与后续淀积工艺后形成的金属层连接，无需通孔，本发明专利技术的有益效果为：本发明专利技术可以替代传统CMOS器件，同时拥有更小的器件尺寸。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体管领域，具体涉及一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管及制作方法。
技术介绍
1、传统绝缘栅场效应晶体管cmos器件由nmos和pmos组成，可实现各种逻辑电路和功能，器件通常制造在单晶硅衬底中，包括源极、漏极和背栅衬底，栅极由与衬底隔离的多晶硅栅构成来控制器件的沟道；
2、如图1所示为传统cmos器件剖面图，包括n沟道的nmos和p沟道的pmos，以nmos为例，其沿沟道方向的尺寸包括沟道长度lch、源漏接触区尺寸lsn和ldn，其中lsn和ldn受制于通孔contact尺寸lct和孔到poly尺寸lcg和源漏区包通孔的尺寸lac，因此其尺寸不能太小，影响器件尺寸的部位包含沟道区、源漏接触区、通孔、通孔到多晶硅栅的间距、金属包通孔的尺寸等，器件尺寸ltotal=lch+lsn+ldn，其中lsn/ldn=lct+lcg+lac，从上式可以看出，如果没有通孔，lsn和ldn的距离可以大幅减少，只需要考虑其自身的最小尺寸即可，有必要对现有技术进行改进。
技术实现思路
>1、本专利技术所要本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管，包括上层硅材料、下层硅材料，上层硅材料与下层硅材料之间设有氧化层作为器件的栅氧化层，其特征在于：背栅衬底设置于上层硅材料中，器件的源漏区制作在背栅衬底中，下层硅材料作为栅极来控制背栅衬底的沟道，源极和漏极直接与后续淀积工艺后形成的金属层连接，无需通孔。
2.一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：根据是否做第二层或更多层金属层，第二步后垫积一层金属或金属硅化物，第四步刻蚀层间氧化层和该层金属直到硅材料表面。
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【技术特征摘要】
1.一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管，包括上层硅材料、下层硅材料，上层硅材料与下层硅材料之间设有氧化层作为器件的栅氧化层，其特征在于：背栅衬底设置于上层硅材料中，器件的源漏区制作在背栅衬底中，下层硅材料作为栅极来控制背栅衬底的沟道，源极和漏极直接与后续淀积工艺后形成的金属层连接，无需通孔。
2.一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：根据是否做第二层或更多层金属层，第二步后垫积一层金属或金属硅化物，第四步刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛焜，
申请(专利权)人：浙江熙芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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