一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法及二极管技术

本发明专利技术涉及一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂的P型衬底上形成一层轻掺杂的P型外延硅或者在重掺杂的N型衬底上形成一层轻掺杂的N型外延硅；第二步，在P型外延硅上形成一层N型硅或者在N型外延上形成一层P型硅；第三步，通过光刻胶在P型外延硅或者N型外延硅中间挖出一个填充槽，并填充第二材料；第四步，垫积金属并刻蚀，形成电极；第五步，在P型外延硅及N型硅边缘，或者N型外延硅及P型硅边缘通过刻蚀或腐蚀形成电场截止区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及领域二极管领域，具体涉及一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法及二极管。

技术介绍

1、二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通， 加上反向电压时，二极管截止， 二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开；

2、现有技术的二极管通常只有一个阳极和一个阴极，如图1所示，当需要两个阳极相连的二极管时，只能采用两个独立的二极管结构做外部连接，在某些应用如整流桥堆结构中，如图2所示，有四个二极管，如想把它们与集成电路芯片合封，则需要对四个二极管分别进行打线封装，封装的难度和成本较大。

3、本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，

4、提供一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法及二极管。

5、为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

6、第一步，在重掺杂的p型衬底上形成一层轻掺杂的p型外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，其特征在于：第一步中P型衬底电阻率小于1欧姆/cm，浓度大于1×1018/cm3，轻掺杂P型硅杂质浓度1×1014/cm3-1×1017/cm3，厚度1μm-500μm，N型衬底电阻率小于1欧姆/cm，浓度大于1×1018/cm3，轻掺杂N型硅杂质浓度1×1014/cm3-1×1017/cm3，厚度1μm-500μm。

3.根据权利要求1所述的一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，其特征在于：第二步中N型硅，杂质浓度...

【技术特征摘要】

1.一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，其特征在于：第一步中p型衬底电阻率小于1欧姆/cm，浓度大于1×1018/cm3，轻掺杂p型硅杂质浓度1×1014/cm3-1×1017/cm3，厚度1μm-500μm，n型衬底电阻率小于1欧姆/cm，浓度大于1×1018/cm3，轻掺杂n型硅杂质浓度1×1014/cm3-1×1017/cm3，厚度1μm-500μm。

3.根据权利要求1所述的一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，其特征在于：第二步中n型硅，杂质浓度1×1015/cm3-1×1020/cm3，厚度1μm-500μm；p型硅，杂质浓度1×1015/cm3-1×1020/cm3，厚度1μm-500μm。

4.根据权利要求1所述的一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，其特征在于：第三步中填充槽的深度1...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛焜，
申请(专利权)人：浙江熙芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：