【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及具有光探测与发光双功能的光电器件及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管（light emitting diodes，led）不仅具备发光显示功能，也可能成为光学传感器。早在1970年，有学者系统地介绍过固体发光和探测之间的交互作用。对pn结型器件在正向偏压下，电子和空穴注入结区，复合辐射发光；在0 v或者负偏压下，内建电场分离光生电子空穴对，实现对光的探测。基于载流子输运理论，光电响应要求当光子照射到pn结上，产生的电子-空穴对在内建电场下实现分离，最终产生光电流；而对led来说，要求在外加内场下，电子空穴被束缚在半导体中最终实现复合发光。
2、近年来，这种具备光响应和发光双功能性质的能力在交互式通讯系统领域显示了巨大的应用前景，但是对同一种材料体系的光电器件而言，具备较好的光电响应性能的同时必然削弱其发光性能。因此，难以获得能够同时满足高性能发光与高效探测的光电器件。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术提供具有光探测与发光双功能的光电器件及其制备方法，至少解决现有技术中的一个问题。
2、第一方面，本专利技术提供一种具有光探测与发光双功能的光电器件，其包括依次层叠的以下各层：
3、n型gan层；
4、光吸收层，所述光吸收层为si掺杂的inxga1-xn/gan超晶格，其中0.01≤x≤0.16；
5、发光层，所述发光层为si掺杂的inyga1-yn/gan量子阱，其中0.16≤y≤0.
6、p型algan层；以及
7、p型gan层。
8、第二方面，本专利技术提供所述具有光探测与发光双功能的光电器件的制备方法，其包括以下步骤：
9、提供衬底；
10、在所述衬底上沉积n型gan层；
11、在所述n型gan层上沉积光吸收层；
12、在所述光吸收层上沉积发光层；
13、在所述发光层上沉积p型algan层；
14、在所述p型algan层上沉积p型gan层。
15、由于采用了以上技术方案，本专利技术的实施例至少具有以下有益效果：
16、将发光层和光吸收层分离，通过调控光吸收层inxga1-xn/gan超晶格和发光层inyga1-yn/gan量子阱的in组分和si掺杂浓度，有效改变两种功能层的内建电场强度和耗尽层宽度；首次在单一器件内获得了电致发光和光响应波段不同并且可以实现高灵敏型探测和增益型放大探测的光电器件，有效避免了发光和探测性能的相互削减，不同的工作模式可应对不同的实际应用场景针对性使用。
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1.一种具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，包括依次层叠的以下各层：
2.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，x=0.01或x=0.16。
3.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，y=0.17、y=0.29或y=0.35。
4.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，所述光吸收层的Si掺杂浓度在1e16-1e17/cm3之间。
5.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，所述发光层的Si掺杂浓度在1e17-1e18 /cm3之间。
6.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，所述P型AlGaN层掺杂Mg，且所述P型AlGaN层的Mg掺杂浓度在1e19-1e20 /cm3之间。
7.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，所述P型GaN层掺杂Mg，且所述P型GaN层的Mg掺杂浓度在1e20-1e21 /cm3之间。
8.根据权利
9.根据权利要求1-8中任一权利要求所述的具有光探测与发光双功能的光电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅片。
...【技术特征摘要】
1.一种具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，包括依次层叠的以下各层：
2.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，x=0.01或x=0.16。
3.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，y=0.17、y=0.29或y=0.35。
4.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，所述光吸收层的si掺杂浓度在1e16-1e17/cm3之间。
5.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，所述发光层的si掺杂浓度在1e17-1e18 /cm3之间。
6.根据权利要求1所述的具有光探测与发光双功能的光电器件，其特征在于，所述p型algan层掺杂mg，且所述p型...
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