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本发明涉及一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂的P型衬底上形成一层轻掺杂的P型外延硅或者在重掺杂的N型衬底上形成一层轻掺杂的N型外延硅；第二步，在P型外延硅上形成一层N型硅或者在N型外延上形成一层P型硅...
该专利属于浙江熙芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江熙芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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