本发明涉及一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管，包括上层硅材料、下层硅材料，上层硅材料与下层硅材料之间设有氧化层作为器件的栅氧化层，其特征在于：背栅衬底设置于上层硅材料中，器件的源漏区制作在背栅衬底中，下层硅材料作为栅极来控制背栅衬底的沟...

本发明涉及一种垂直场效应晶体管的制造方法与垂直场效应晶体管，该方法包括如下步骤：步骤1：在N型掺杂衬底上生长N型外延层；步骤2：生长厚氧化层并刻蚀出有源区，步骤3：垫积多晶硅、刻蚀多晶硅形成CELL区的多晶硅栅；步骤4：通过自对准注入P...

本发明涉及一种双电极复合结构的桥堆续流二极管制作方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂的P型衬底上形成一层轻掺杂的P型外延硅或者在重掺杂的N型衬底上形成一层轻掺杂的N型外延硅；第二步，在P型外延硅上形成一层N型硅或者在N型外延上形成一层P...