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本发明涉及一种衬底硅栅控制的新型场效应晶体管，包括上层硅材料、下层硅材料，上层硅材料与下层硅材料之间设有氧化层作为器件的栅氧化层，其特征在于：背栅衬底设置于上层硅材料中，器件的源漏区制作在背栅衬底中，下层硅材料作为栅极来控制背栅衬底的沟道，...
该专利属于浙江熙芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江熙芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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