【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种晶体管及其形成方法。
技术介绍
1、在集成电路器件中，mos晶体管是最为重要的元器件之一。mos管是一种电压驱动型的器件，多被用作电子开关，以控制电路的导通和断开。
2、在常规的mos晶体管中，源极、漏极、栅极是其重要组成部分，在mos晶体管工作时，通过改变栅极上的加载电压，在栅极和衬底之间形成沟道，从而在源极和漏极之间形成电流，实现mos管的导通。
3、其中，栅极包括衬底上的栅极氧化层以及其上的栅电极组成。在高压器件中，mos晶体管的栅极的耐压能力要求较高，而栅极的耐压能力与栅极氧化层的厚度有关，因此，在栅极上加载电压较高的器件中，通常需要其具有较厚的栅极氧化层。
4、然而，在现有技术中，提升栅极氧化层的工艺成本高，且与后续制程的兼容性较差，工艺风险高。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种晶体管及其形成方法，提升了栅极氧化层的厚度，工艺较简单，工艺风险小，且与后续制程的兼容性好。
2、为...
【技术保护点】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一氧化结构的厚度和栅极氧化层的厚度之和等于预设栅氧厚度。
3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管的阈值电压大于10V；
4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管的阈值电压大于20V；
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括:位于所述栅极和第一氧化结构两侧的衬底内的源漏区。
6.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一氧...
【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一氧化结构的厚度和栅极氧化层的厚度之和等于预设栅氧厚度。
3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管的阈值电压大于10v；
4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管的阈值电压大于20v；
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括:位于所述栅极和第一氧化结构两侧的衬底内的源漏区。
6.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一氧化结构的厚度和栅极氧化层的厚度之和等于预设栅氧厚度。
8.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一氧化结构的厚度等于隔离结构的厚度。
9.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，在形成第一氧化结构和隔离结构之前，还包括：获取所述预设栅氧厚度；所述预设栅氧厚度的获取方法包括：获取栅极加载电压；根据栅极加载电压，获取预设栅氧厚度。
10.如权利要求6所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一氧化结构与隔离结构同时形成。
11.如权利要求10所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一氧化结构和隔离结构的形成方法包括：在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分所述第一器件区以及隔离区表面；以所...
【专利技术属性】
技术研发人员：苑振升，马德敬，殷子文，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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