【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光电传感器及其形成方法。
技术介绍
1、光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应，光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。
2、例如，ccd(charge coupled device，电荷耦合器件)图像传感器和cmos(cmosimage senser，cis)图像传感器，利用光电转换功能将光学图像转换为电信号后输出数字图像，目前被广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中。cmos图像传感器由于具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点而逐渐取代ccd的地位。目前cmos图像传感器被广泛应用于数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等领域之中。
3、目前在高速cis图像传感器中，由于曝光时间非常短，为了增加灵敏度需要很大的像素满阱容量(full well capacity，fwc)。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，在所述像素单元区中，每个所述第一型掺杂区中具有凸于所述覆盖部的多个凸立部。
3.如权利要求1或2所述的光电传感器，其特征在于，在所述像素单元区中，所述第二型掺杂区的凸立部在所述第一型掺杂区中的分布的俯视形状包括条状、环状、阵列状或网格状。
4.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述覆盖部与凸立部为一体结构。
5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区的掺杂浓度为1E12atom/cm3至1E14atom/cm
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【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，在所述像素单元区中，每个所述第一型掺杂区中具有凸于所述覆盖部的多个凸立部。
3.如权利要求1或2所述的光电传感器，其特征在于，在所述像素单元区中，所述第二型掺杂区的凸立部在所述第一型掺杂区中的分布的俯视形状包括条状、环状、阵列状或网格状。
4.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述覆盖部与凸立部为一体结构。
5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区的掺杂浓度为1e12atom/cm3至1e14atom/cm3。
6.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区中凸立部的掺杂深度为10nm至500nm。
7.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二型掺杂区中覆盖部的掺杂深度为10nm至100nm。
8.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一型掺杂区的掺杂类型为n型；所述第二型掺杂区的掺杂类型为p型。
9.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：第三型掺杂区，位于所述感光像素区的基底中并包覆所述第一型掺杂区的侧壁和底面，所述第三型掺杂区的掺杂类型与所述第一型掺杂区的掺杂类型不同。
10.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述基底上还形成有覆盖所述栅极结构的介质层；
11.一种光电传感器的形成方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的光电传感器的形成方法，其特征在于，对所述基底进行离子注入的步骤包括：形成覆盖所述基底的掩膜层；
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【专利技术属性】
技术研发人员：高长城，张伟，石强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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