【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路及其制造方法，且特别是涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、随着科技的日新月异，半导体装置的尺寸愈来愈小。在半导体装置的制造过程中，通常会使用对准标记来对准前层。然而，若是对准标记在制造的过程遭受损坏，导致深度不足，所侦测信号无法具有足够的对比，将无法进行精确对准。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种半导体装置及其制造方法，可以使得对准标记的导体层中的凹槽具有足够的有效深度，使得所侦测信号具有足够的对比。
2、根据本专利技术的实施例，一种半导体装置，包括：介电层、停止层、通孔以及存储器装置。所述介电层在衬底上。所述停止层在所述介电层上。所述通孔在所述停止层与所述介电层中延伸。所述存储器装置在所述通孔上，且与所述通孔电连接。
3、根据本专利技术另一实施例，一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤。在衬底上形成第一介电层。在所述第一介电层上形成停止层。在所述停止层与所述第一介电层中形成通孔开口以及对准标记的沟槽。在所述衬底上形成...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括:
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述停止层与所述导体层以及所述通孔连接。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述导体层的顶面、所述停止层的顶面以及所述通孔的顶面共平面。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中与所述导体层相邻的所述介电层的第一顶面以及与所述通孔相邻的所述介电层的第二顶面共平面。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中与所述导体层相邻的所述介电层以及与所述通孔相邻的所述介电层具有平坦的表面。<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括:
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述停止层与所述导体层以及所述通孔连接。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述导体层的顶面、所述停止层的顶面以及所述通孔的顶面共平面。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中与所述导体层相邻的所述介电层的第一顶面以及与所述通孔相邻的所述介电层的第二顶面共平面。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中与所述导体层相邻的所述介电层以及与所述通孔相邻的所述介电层具有平坦的表面。
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述凹槽的深度大于500埃。
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述沟槽的深度与所述通孔的深度的比大于1.5。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中：
12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：许家彰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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