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一种晶体管及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一器件区和隔离区；在所述第一器件区内形成第一氧化结构，并在所述隔离区内形成隔离结构；在所述第一氧化结构上形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层上形成栅极。所述晶体管及其形成方法提...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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