【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储，尤其涉及一种存储器的编程方法、存储器、控制器、存储系统及电子设备。
技术介绍
1、为了兼顾闪存的存储容量和读写速度，闪存中除了配置多层单元(multi-levelcell，mlc)闪存之外，例如三层单元闪存、四层单元闪存、五层单元闪存等等，还配置有读写速度更快的单层单元(single-level cell，slc)闪存。
2、在向闪存写入数据(编程)时，系统需要查询编程状态，但在向slc闪存编程时，由于slc闪存的数据只能以单页模式编程，因此存储系统需要频繁查询编程状态，导致占用带宽。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种存储器的编程方法、存储器、控制器、存储系统及电子设备，用以改善存储器在以单页模式编程的情况下，系统需要频繁查询每一个数据页的编程状态导致占用带宽的问题。
2、为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
3、第一方面，提供一种存储器的编程方法，存储器包括存储单元阵列以及页缓存器，存储单元阵列的工作模式包括第一存储...
【技术保护点】
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述存储器包括存储单元阵列以及页缓存器，所述存储单元阵列的工作模式包括第一存储模式，所述第一存储模式下数据以单页模式写入，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述页缓存器包括第一锁存器、第二锁存器和至少一个第三锁存器，所述页缓存器缓存接收的多个数据页包括：
3.根据权利要求2所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述页缓存器缓存接收的多个数据页还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器的编程方法，其特征在于，将所述页缓存器缓存的多个数据页按照接收的顺序逐页写入至所述...
【技术特征摘要】
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述存储器包括存储单元阵列以及页缓存器，所述存储单元阵列的工作模式包括第一存储模式，所述第一存储模式下数据以单页模式写入，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述页缓存器包括第一锁存器、第二锁存器和至少一个第三锁存器，所述页缓存器缓存接收的多个数据页包括：
3.根据权利要求2所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述页缓存器缓存接收的多个数据页还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器的编程方法，其特征在于，将所述页缓存器缓存的多个数据页按照接收的顺序逐页写入至所述存储单元阵列包括：
5.根据权利要求1～4任一项所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1～4任一项所述的存储器的编程方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括存储单元阵列、页缓35存器以及控制逻辑电路；所述存储单元阵列的工作模式包括第一存储模式，所述第一存储模式下数据以单页模式写入；
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述页缓存器包括第一锁存器、第二锁存器和至少一个第三锁存...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓佳梁，李博，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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