钝化薄膜结构和太阳电池制造技术

技术编号:41851801 阅读:51 留言:0更新日期:2024-06-27 18:28
本发明专利技术公开了一种钝化薄膜结构及其制备方法。钝化薄膜结构及其制备方法包括如下步骤:在硅衬底的至少一个表面制备透明导电氧化物薄膜层;在所述透明导电氧化物薄膜层上制备SiO<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;薄膜层;以及采用PECVD工艺在所述SiO<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;薄膜层上制备SiN<subgt;x</subgt;薄膜层,其中,PECVD工艺中,沉积温度350℃~550℃,工艺气体包括NH<subgt;3</subgt;以及SiH<subgt;4</subgt;,NH<subgt;3</subgt;流量2000sccm~5000sccm,SiH<subgt;4</subgt;流量为600sccm~1500 sccm,沉积压力1300pa~2500 pa。本发明专利技术能够实现在不影响钝化薄膜结构中H原子含量的同时,具有更佳的减反射效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏,特别是涉及一种钝化薄膜结构和太阳电池


技术介绍

1、光伏领域中,太阳电池钝化结构多为alox叠加si3n4;其中带负电荷的alox的厚度为5 nm-10 nm,主要为电池提供场钝化效果。传统的钝化结构中,alox虽可提供场钝化效果但并不导电,因此需要激光开槽或使用较强腐蚀性的高温烧穿浆料,对金属接触区域的alox层进行开槽,激光和烧穿浆料均会对电池造成较重的损伤,影响电池性能,高温浆料的使用会增加能耗。


技术实现思路

1、基于此,有必要提供一种钝化薄膜结构的制备方法。本专利技术的钝化薄膜结构的制备方法制备得到的钝化薄膜结构能够提高提钝化效果,且能够提供优异的减反射效果。

2、本申请一实施例提供了一种钝化薄膜结构的制备方法。

3、一种钝化薄膜结构的制备方法,包括如下步骤:

4、在硅衬底的至少一个表面制备透明导电氧化物薄膜层;

5、在所述透明导电氧化物薄膜层上制备sioxny薄膜层;以及

6、采用pecvd工艺在所述sioxny薄膜层上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钝化薄膜结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的钝化薄膜结构的制备方法,其特征在于,所述SiNx为Si3N4薄膜层,所述SiNx薄膜层的沉积厚度为60nm~120nm,折射率不低于2.4。

3.根据权利要求1所述的钝化薄膜结构的制备方法,其特征在于,在所述透明导电氧化物薄膜层上制备SiOxNy薄膜层时采用PECVD工艺。

4.根据权利要求1所述的钝化薄膜结构的制备方法,其特征在于,所述透明导电氧化物薄膜层的制备材料为SnO2薄膜层、TiO2薄膜层、ZnO薄膜层或者GaO薄膜层;

5.根据权利要求1所述的钝...

【技术特征摘要】

1.一种钝化薄膜结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的钝化薄膜结构的制备方法,其特征在于,所述sinx为si3n4薄膜层,所述sinx薄膜层的沉积厚度为60nm~120nm,折射率不低于2.4。

3.根据权利要求1所述的钝化薄膜结构的制备方法,其特征在于,在所述透明导电氧化物薄膜层上制备sioxny薄膜层时采用pecvd工艺。

4.根据权利要求1所述的钝化薄膜结构的制备方法,其特征在于,所述透明导电氧化物薄膜层的制备材料为sno2薄膜层、tio2薄膜层、zno薄膜层或者gao薄膜层;

5.根据权利要求1所述的钝化薄膜结构,其特征在于,所述透明导电氧化物薄膜层为含有al、ga或b掺杂的氧化锌薄膜层时,对应地,在硅衬底的至少一个表面制备透明导电氧化物薄膜层时具体包括如下步骤:

...

【专利技术属性】
技术研发人员:王尧
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1