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本发明公开了一种钝化薄膜结构及其制备方法。钝化薄膜结构及其制备方法包括如下步骤：在硅衬底的至少一个表面制备透明导电氧化物薄膜层；在所述透明导电氧化物薄膜层上制备SiO<subgt;x</subgt;N<subgt;y<...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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