顶层铜衬垫窗口的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种顶层铜衬垫窗口的制造方法，包括：依次形成供衬垫窗口穿过的第一至三介质层。形成第四介质层。第一和第四介质层之间具有第二刻蚀选择比大于第一和第三介质层之间具有第一刻蚀选择比。形成光刻胶图形定义出衬垫窗口形成区域。进行第一次刻蚀并停止在第一介质层上。去除光刻胶。进行第二次刻蚀将衬垫窗口形成区域剩余的第一介质层完全去除；第二次刻蚀会对第四介质层产生损耗，利用第二刻蚀选择比大于第一刻蚀选择比的特征，减少衬垫窗口形成区域外的刻蚀量并从减少刻蚀产物。采用湿法清洗去除剩余的第四介质层以及刻蚀产物并从而形成衬垫窗口。本发明专利技术能在刻蚀过程中减少衬垫窗口对应的顶层膜的刻蚀损耗，能保证完全去除刻蚀产物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种顶层铜衬垫窗口的制造方法。

技术介绍

1、为了提高芯片封装面积比，先进制程采用凸点倒装工艺。在使用此工艺前提下，为了进一步降低布线电阻，金属层将采用全铜工艺，半导体制造工厂(fab)出货时也采用铜衬垫(pad)。

2、铜pad保护层刻蚀步骤由于顶部sin和底部sicn同时被刻蚀，产生大量刻蚀产物，难以去除，影响铜pad打线工艺。

3、如图1a至图1d所示，是现有铜衬垫窗口的制造方法各步骤中的器件结构示意图；现有铜衬垫窗口的制造方法包括如下步骤：

4、步骤一、如图1a所示，在底层结构上依次形成第一介质层103、第二介质层104和第三介质层105。

5、所述底层结构为形成了顶层铜101组成的铜衬垫的半导体衬底。

6、所述顶层铜101的周侧隔离有金属间介质层102。

7、在所述半导体衬底上形成有半导体器件，半导体器件需要通过金属互连结构引出，金属互连结构包括位于所述顶层铜101底部的各层金属层以及用于对各金属层进行隔离的层间膜。图1中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于：所述第一介质层采用SiCN；

3.如权利要求2所述的顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于：所述第四介质层采用氧化层。

4.如权利要求3所述的顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于：所述第四介质层和所述第二介质层都采用通过TEOS工艺形成的氧化层，所述TEOS工艺是采用TEOS作为硅源的CVD工艺。

5.如权利要求4所述的顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于：所述第一次刻蚀采用干法刻蚀；

6.如权利要求5所述的顶...

【技术特征摘要】

1.一种顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于：所述第一介质层采用sicn；

3.如权利要求2所述的顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于：所述第四介质层采用氧化层。

4.如权利要求3所述的顶层铜衬垫窗口的制造方法，其特征在于：所述第四介质层和所述第二介质层都采用通过teos工艺形成的氧化层，所述teos工艺是采用teos作为硅源的cvd工艺。

【专利技术属性】
技术研发人员：吕穿江，陈昊，赵广轩，王晓日，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：