【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。
技术介绍
1、垂直腔面发射激光器(vcsel)相比于边发射激光器具有低阈值、低功耗、单纵模、高调制带宽、易于二维阵列集成等特点，因而被作为短距离光通信的核心光源。随着光通信技术的发展，用于短距离传输的高速vcsel芯片需求量急剧增长，对单颗芯片的传输速率要求已从10gbit/s nrz向25gbit/s nrz与50gbit/s pam4过渡。
2、而vcsel芯片的寄生电容是制约芯片传输速率的关键因素，尤其是电极电容的贡献。根据平板电极间电容理论，降低vcsel芯片电极电容的方式包括减小电极面积、增加电极间距、减少电极间介质介电常数等。而高速vcsel芯片常采用共面电极结构方式，并且由于后续测试与封装需求，电极面积也不可无限减少。因此由于结构限制，目前主要采用的降低芯片寄生电容的方式是在正极与外延层之间插入一定厚度的低介电常数材料，但该种方法由于材料间应力失配以及过于明显的高度差，导致芯片可靠性大大折扣。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种垂直腔面发射激光器，包括基底，所述基底上设置有外延层，其特征在于，所述外延层上设置有第一电极、第二电极、第一刻蚀区和第二刻蚀区，所述第一刻蚀区、第二刻蚀区设置于外延层内，且第一刻蚀区包绕形成圆台形波导，所述第一电极设置于圆台形波导顶部；所述二刻蚀区与第一刻蚀区相连通，所述第一刻蚀区与第二刻蚀区内部设置有机聚合物，形成有机聚合物层，第二电极从第一电极处引出并延伸至第二刻蚀区上方。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有机聚合物层的介电常数小于等于3。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有机...
【技术特征摘要】
1.一种垂直腔面发射激光器，包括基底，所述基底上设置有外延层，其特征在于，所述外延层上设置有第一电极、第二电极、第一刻蚀区和第二刻蚀区，所述第一刻蚀区、第二刻蚀区设置于外延层内，且第一刻蚀区包绕形成圆台形波导，所述第一电极设置于圆台形波导顶部；所述二刻蚀区与第一刻蚀区相连通，所述第一刻蚀区与第二刻蚀区内部设置有机聚合物，形成有机聚合物层，第二电极从第一电极处引出并延伸至第二刻蚀区上方。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有机聚合物层的介电常数小于等于3。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有机聚合物选自bcb、pi、pr、ps中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一刻蚀区、第二刻蚀区的深度相同，所述有机聚合物的厚度为第一刻蚀区、第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：张立宇，陈昭，林中晞，钟杏丽，苏辉，李雄，陈辉，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：
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