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本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，所述激光器包括基底，所述基底上设置有外延层，其特征在于，所述外延层上设置有第一电极、第二电极、第一刻蚀区和第二刻蚀区，所述第一刻蚀区、第二刻蚀区设置于外延层内，且第...
该专利属于闽都创新实验室所有，仅供学习研究参考，未经过闽都创新实验室授权不得商用。

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