【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及一种半导体存储元件及其制造方法。
技术介绍
1、作为半导体存储装置，已知有将存储单元三维地配置而成的nand(not and，与非)闪速存储器。该nand闪速存储器中，在多个电极层与绝缘层交替地积层而成的积层体设置着贯通该积层体的存储器孔。通过在该存储器孔内设置阻挡绝缘膜、电荷蓄积膜、隧道绝缘膜、及半导体层(通道层)，而形成多个存储单元串联地连接的存储器串。通过控制保持在电荷蓄积膜中的电荷量而在存储单元中存储数据。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题在于，提供一种能够提高存储单元的可靠性的半导体存储元件及其制造方法。
2、本实施方式的半导体存储元件具备积层体、半导体层、第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜、及第4绝缘膜。积层体是由绝缘层与导电层交替地沿着第1方向积层而成。半导体层沿着第1方向配置在积层体内。第1绝缘膜沿着第1方向配置在积层体与半导体层之间。第2绝缘膜沿着第1方向配置在积层体与第1绝缘膜之间。第3绝缘膜沿着第1方向配置在积层体与第2绝缘膜之间。第...
【技术保护点】
1.一种半导体存储元件，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其中所述第1部分及所述第3绝缘膜的至少一者中氘浓度相对于氕浓度的比率为1以上。
3.根据权利要求2所述的半导体存储元件，其中所述第1部分及所述第3绝缘膜的至少一者中氘浓度相对于氕浓度的比率为10以上。
4.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其还具备沿着所述第2方向配置的第1配线，所述半导体层电连接于所述第1配线。
5.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其中所述第1绝缘膜包含氮氧化硅，
6.一种半导体存储元件，具备：
7.一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储元件，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其中所述第1部分及所述第3绝缘膜的至少一者中氘浓度相对于氕浓度的比率为1以上。
3.根据权利要求2所述的半导体存储元件，其中所述第1部分及所述第3绝缘膜的至少一者中氘浓度相对于氕浓度的比率为10以上。
4.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其还具备沿着所述第2方向配置的第1配线，所述半导体层电连接于所述第1配线。
5.根据权...
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