温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的实施方式提供一种能提高存储单元可靠性的半导体存储元件及其制造方法。本实施方式的半导体存储元件具备积层体、半导体层、第1绝缘膜、第2绝缘膜、第3绝缘膜及第4绝缘膜。积层体是由绝缘层与导电层交替地沿着第1方向积层而成。半导体层沿着第1方...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。