半导体装置和包括该半导体装置的电子系统制造方法及图纸

公开了一种半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置可以包括：栅极堆叠体，包括交替地堆叠在彼此顶部上的绝缘图案和导电图案；存储器沟道结构，穿透栅极堆叠体；选择线结构，在栅极堆叠体上；以及选择沟道结构，穿透选择线结构。存储器沟道结构包括绝缘覆盖层、包围绝缘覆盖层的存储器沟道层以及包围存储器沟道层的存储器层。选择沟道结构可以包括电连接到存储器沟道层的选择沟道层和包围选择沟道层的选择绝缘结构。选择沟道层可以包括在存储器沟道结构上的连接部和在连接部上的柱部，连接部中的晶粒的平均尺寸可以小于柱部中的晶粒的平均尺寸。

【技术实现步骤摘要】

各种示例实施例涉及一种半导体装置和/或一种包括该半导体装置的电子系统，具体地，涉及一种包括彼此叠置的位线的半导体装置和/或包括该半导体装置的电子系统。

技术介绍

1、由于半导体装置的小尺寸、多功能和/或低成本特性，半导体装置被认为是电子工业中的重要元件。半导体装置被分类为用于存储数据的半导体存储器装置、用于处理数据的半导体逻辑装置以及包括存储器元件和逻辑元件两者的混合半导体装置。

2、随着电子装置的高速和低功耗的最新趋势，也需要或期望电子装置中的半导体装置具有高操作速度和/或低操作电压，并且为了满足这些期望，需要或期望增大半导体装置的集成密度。然而，随着半导体装置的集成密度增大，半导体装置会遭受电特性和/或产品良率的劣化。因此，正在进行许多研究以改善半导体装置的电特性和产品良率。

技术实现思路

1、各种示例实施例提供了一种具有改善的电气和/或可靠性特性的半导体装置和/或一种包括该半导体装置的电子系统。

2、根据专利技术构思的各种示例实施例，半导体装置可以包括：栅极堆叠体，包括交替地堆叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，选择沟道层包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，连接部的宽度大于柱部的下部的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当在平面图中观看时，柱部与选择沟道结构的中心叠置。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，选择沟道层包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，连接部的宽度大于柱部的下部的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当在平面图中观看时，柱部与选择沟道结构的中心叠置。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，柱部具有柱形状。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：金智美，林宣和，金武炫，金成吉，朴胤智，曹永奂，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：