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公开了一种半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置可以包括：栅极堆叠体，包括交替地堆叠在彼此顶部上的绝缘图案和导电图案；存储器沟道结构，穿透栅极堆叠体；选择线结构，在栅极堆叠体上；以及选择沟道结构，穿透选择线结构。存储器沟道结构...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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