【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及半导体设备领域，尤其涉及一种用于等离子体反应室的基座调整装置。
技术介绍
1、等离子体半导体成膜设备，包括等离子增强原子层沉积(plasma enhancedatomic layer deposition,pecvd)和等离子增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition,pecvd)，需要在反应室内导入一种或多种射频(rf)电流，来把通入反应室内的工艺气体激活成等离子体，为成膜提供能量。
2、为了沉积高质量的薄膜，承载晶圆的基座以及基座的支撑组件，需要实现调平、对中、密封、保证稳定rf回路、加热及冷却等一系列的功能，因此设计一个简单可靠的基座调整装置，对于等离子体半导体成膜设备的成膜质量有着极大的影响。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是提供一种用于等离子体反应室的基座调整装置，该基座调整装置能够缩短射频电流流动路径的长度、提高射频电流的稳定性和重复性，还具有结构简单和锁紧后的基座水平度与锁紧前的基座水...
【技术保护点】
1.一种用于等离子体反应室的基座调整装置，所述基座调整装置连接于所述等离子体反应室的基座，所述基座的下方设置有基座支撑轴，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于，所述多个水平度调节件(112)包括微分头机构(112a)和/或调节螺钉，其中，所述多个水平度调节件(112)分布在同一圆上。
3.如权利要求1所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于还包括控制器，所述控制器被配置为：
4.如权利要求3所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于，所述控制器被配置为：当所述水平度...
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体反应室的基座调整装置，所述基座调整装置连接于所述等离子体反应室的基座，所述基座的下方设置有基座支撑轴，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于，所述多个水平度调节件(112)包括微分头机构(112a)和/或调节螺钉，其中，所述多个水平度调节件(112)分布在同一圆上。
3.如权利要求1所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于还包括控制器，所述控制器被配置为：
4.如权利要求3所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于，所述控制器被配置为：当所述水平度调节件(112)为微分头机构(112a)时，在所述基座(130)的水平度满足所述预设水平度时，所述控制器将每个所述微分头机构(112a)的当前读数存储并标记为标准读数。
5.如权利要求4所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于，当所述等离子体反应室所处的工况变化和\或所述基座(130)的位置产生变化后，基于所述标准读数将所述基座(130)的水平度调节至预设水平度。
6.如权利要求3所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于，所述控制器被配置为：当所述水平度调节件(112)为微分头机构(112a)时，实时记录每个所述微分头机构(112a)的读数，其中，所述读数用于反应所述基座(130)的水平度状态。
7.如权利要求1所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于，所述第一方向调节组件(141)包括第一调节板(141a)、第一调节柄(141b)和第一结合件(141c)，所述第一调节柄(141b)与所述第一结合件(141c)活动连接，所述第一调节柄(141b)被配置为沿所述第一方向调节所述第一调节板(141a)的位置，所述第二方向调节组件(142)包括第二调节板(142a)、第二调节柄(142b)和第二结合件(142c)，所述第二调节柄(142b)与所述第二结合件(142c)活动连接，所述第二调节柄(142b)被配置为沿所述第二方向调节所述第二调节板(142a)的位置，其中，所述第一结合件(141c)与所述第二调节板(142a)固定连接，所述第二结合件(142c)与所述支撑机构(150)固定连接。
8.如权利要求1所述的用于等离子体反应室的基座调整装置，其特征在于，还包括第一限位件(170)和第二限位件(180)，所述第一限位件(170)被配置为...
【专利技术属性】
技术研发人员：许正昱，韩高锋，若林华央，王传道，
申请(专利权)人：研微江苏半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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