清洗系统上的喷射装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种清洗系统上的喷射装置。该喷射装置包括第一喷射管和第二喷射管，所述第一、第二喷射管上分别设有数个喷嘴，以分别在晶圆的正面和背面喷射清洗液；所述喷射装置还包括第三喷射管，所述第三喷射管设有对晶圆边缘喷射清洗液的喷嘴。与现有技术相比，本发明专利技术所述的喷射装置不仅设置了喷洒晶圆正面和背面的喷射管，还设置了喷洒晶圆边缘的喷射管，有效地清除了晶圆边缘的残留杂质，减少了在后续制程中出现薄膜脱落的现象。

A jet device in a cleaning system

A jet device in a cleaning system is disclosed. The injection device comprises a first injection tube and second injection tube, wherein the first and the second injection pipe are respectively provided with a plurality of nozzles to spray cleaning liquid respectively in the front and back of the wafer; the injection device also includes third jet, the third injection pipe is arranged on the wafer edge cleaning liquid jet nozzle. Compared with the prior art, spray the device of the invention not only set up the jet spraying wafer front and back, also set up a jet spray edge of the wafer, and effectively remove the residual impurities on the wafer edge, reduces the film off phenomenon appears in the follow-up process.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域的化学机械研磨(CMP)后的清洗制程，具体地说， 涉及一种用于CMP后晶圆清洗系统上的喷射装置。背景技木晶圆经过CMP制程后需要进行清洗才能进入下一制程。晶圆的清洗制程是 在CMP机台的清洗系统上进行的。清洗系统包括清洗槽以及安装于清洗槽内两 个滚筒毛刷和喷射装置。现有技术中的喷射装置包括位于两个滚筒毛刷上方的 两个喷射管，用于向晶圆正面和背面喷洒清洗液。图l和图2分别为现有喷射 装置1的俯视示意图和剖视示意图。该喷射装置1包括喷射管13、 14分别位于 晶圆100的两侧。液体管ll、 12分别为喷射管13、 14提供清洗液。喷射管13、 14上分别设有三个喷嘴130、 140,以在晶圓1的正面和背面喷洒清洗液。清洗 时，滚筒毛刷配合着喷洒的清洗液清洗晶圓的正面和背面。喷射装置1虽然可以向晶圆的正面和背面喷射清洗液，但是无法有效地喷 洒到晶圆的边缘，滚筒毛刷也不容易清洗到晶圓的边缘。这样，在后续的淀积 薄膜的制程中，由于晶圆的边缘存在残留杂质，导致淀积在晶圆边缘的薄膜容 易脱落,部分落到晶圓中心部分的器件上，最终影响其电学性能，降低了晶圆 的良率。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗系统上的喷射装置，所述喷射装置包括第一喷射管和第二喷射管，所述第一、第二喷射管上分别设有数个喷嘴，以分别在晶圆的正面和背面喷射清洗液，其特征在于，所述喷射装置还包括第三喷射管，所述第三喷射管设有对晶圆边缘喷射清洗液的喷嘴。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈肖科，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]