【技术实现步骤摘要】
与本公开相关的装置和方法涉及半导体领域，更具体地，涉及包括背面接触结构的集成电路器件。
技术介绍
1、已提出集成电路器件的各种结构及其形成方法，以增加其集成密度。
2、至少为了提高电源轨效率并防止ir下降，在包括场效应晶体管(fet)(诸如纳米片晶体管)的半导体器件结构中开发了背面配电网络(bspdn)。已经提出了一些将纳米片晶体管的正面连接到其背面的方法，包括前通路背面电源轨(fvbp)、直接背面接触(dbc)等。其中，就工艺能力和尺寸限制而言，dbc比连接到背面的其他接触结构更有效。然而，在形成有时被称为背面接触结构的背面接触区域(bsca)时，由于锥形bsca形状，在形成bsca的孔或沟槽中产生金属空隙。照此，需要改善bsca的轮廓。
3、本
技术介绍
部分中公开的信息在实现本申请的实施方式的过程之前或期间已经为专利技术人所知或由专利技术人推导出，或者是在实现实施方式的过程中获得的技术信息。因此，它可能包含不构成公众已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、这里公...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一部分具有第一截头圆锥形结构，其在靠近所述第一源极/漏极结构的位置处具有第一直径，在远离所述第一源极/漏极结构的位置处具有第二直径，以及
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二部分具有拥有第三直径的圆柱形结构，以及
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述背面接触结构具有重复图案层，所述重复图案层由作为第一层的所述第一部分、作为第二层的所述第二部分组成，以及
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述背面接触结构具有平均直径增加的瓶颈形几何形状。
6...
【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一部分具有第一截头圆锥形结构，其在靠近所述第一源极/漏极结构的位置处具有第一直径，在远离所述第一源极/漏极结构的位置处具有第二直径，以及
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二部分具有拥有第三直径的圆柱形结构，以及
4.根据权利要求2所述的装置，其中所述背面接触结构具有重复图案层，所述重复图案层由作为第一层的所述第一部分、作为第二层的所述第二部分组成，以及
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述背面接触结构具有平均直径增加的瓶颈形几何形状。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述背面接触结构包括在所述第一部分之前的初始部分，
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述初始部分具有至少两个侧，第一侧面向所述金属信号路由层，第二侧面向所述背面电源轨，
8.根据权利要求1所述的装置，其中，从侧面看，所述第一部分具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：李钟振，白在职，郑明勋，徐康一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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