温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种半导体器件及制造集成电路器件的方法。该方法包括形成半导体器件，其中半导体器件具有一个或更多个源极/漏极结构、一个或更多个沟道结构，并且其中衬底在半导体器件的第一侧上。该方法还包括形成后段(BEOL)区域，以及在衬底中且与半导体器件...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。