多层电子组件制造技术

本公开的实施例提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上。所述外电极包括连接到所述内电极并且含有Cu的第一电极层、部分地设置在所述第一电极层上并且含有Ni的第二电极层、设置在所述第二电极层上和所述第一电极层上的未设置所述第二电极层的区域中并且包含金属氧化物的中间层、以及设置在所述中间层上并且含有Ni的第一镀层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种多层电子组件。

技术介绍

1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)可以是安装在各种类型的电子产品(诸如包括液晶显示器(lcd)或等离子体显示面板(pdp)的成像装置、计算机、智能电话或移动电话)中的任何一种的印刷电路板上的片式电容器，用于将电充入多层陶瓷电容器中或从多层陶瓷电容器放电。

2、这样的多层陶瓷电容器可具有减小的尺寸，可实现高电容，并且可容易地安装在电路板上，并且因此可用作各种电子装置的组件。由于各种电子装置(诸如计算机和移动装置)中的每个具有减小的尺寸和更高的输出，因此对具有减小的尺寸和更高的电容的多层陶瓷电容器的需求不断增加。

3、此外，近年来，随着对电子产品的行业兴趣增加，要求多层陶瓷电容器具有高可靠性和高强度特性以被用于汽车和信息娱乐系统。

4、作为改善多层电子组件的耐湿可靠性的一种方法，存在增加铜(cu)基外电极的密度或厚度的方法。然而，当需要多层电子组件小型化且具有高电容时，通过控制外电极的厚度来改善耐湿可靠性存在限制。

5、作为用于改善多层电子组件的耐湿可靠性的另本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述中间层中的所述金属氧化物包括含有Cu的氧化物和含有Ni的氧化物中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述含有Cu的氧化物包括CuO、Cu2O和Cu3O4中的至少一种，并且所述含有Ni的氧化物包括NiO。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述中间层包括在设置在所述第一电极层上的未设置所述第二电极层的区域中的含有Cu的氧化物，以及在设置在所述第二电极层上的区域中的含有Ni的氧化物。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所...

【技术特征摘要】

1.一种多层电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，包括在所述中间层中的所述金属氧化物包括含有cu的氧化物和含有ni的氧化物中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的多层电子组件，其中，所述含有cu的氧化物包括cuo、cu2o和cu3o4中的至少一种，并且所述含有ni的氧化物包括nio。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述中间层包括在设置在所述第一电极层上的未设置所述第二电极层的区域中的含有cu的氧化物，以及在设置在所述第二电极层上的区域中的含有ni的氧化物。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第二电极层是多孔的。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述中间层部分地设置在所述第一电极层和所述第二电极层上。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层还包括玻璃。

8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述中间层包括含有包括在所述第一电极层中的金属的氧化物和含有包括在所述第二电极层中的金属的氧化物。

9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层的平均厚度大于等于2μm。

10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述外电极还包括设置在所述第一镀层上并且含有sn的第二镀层。

11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第二电极层不包括玻璃。

12.一种多层电子组件，包括：

13.根据权利要求12所述的多层电子组件，其中，包括在所述中间层中的所述金属氧化物包括含有cu的氧化物和含有ni的氧化物中的至少一种。

14.根据权利要求13所述的多层电子组件，其中，所述含有cu的氧化物包括cuo、cu2o和cu3o4中的至少一种，并且所述含有ni的氧化物包括nio。

15.根据权利要求12所述的多层电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴廷原，崔亨综，安昭贞，李有淨，元光渊，成佑庆，全炳俊，李哲承，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：