【技术实现步骤摘要】
本文中所描述的主题的实施例大体上涉及半导体装置，包括双极结晶体管(bjt)和异质结双极晶体管(hbt)。
技术介绍
1、半导体装置应用于各种电子组件和系统。此外，适用于射频(rf)、微波和毫米波应用的半导体装置可包括bjt、hbt和相关装置。hbt由于其快速传送时间、高截止频率、高增益和良好线性特性而适用于高频率应用。这些hbt充当有源增益元件并且在rf、微波和毫米波功率放大器、振荡器以及其它有用的电子组件中用作有源装置。在这些装置的这些和其它应用中，需要减小基极电阻。减小基极电阻对于实现更高的震荡最高频率(fmax)和改善这些应用的频率响应来说是重要的。fmax的值与基极电阻(rb)成反比。因此，需要具有减小rb的包括bjt型和hbt型装置的半导体装置。
技术实现思路
1、在一个方面，半导体装置的实施例可以包括半导体衬底和集电极区，根据实施例，所述集电极区具有第一宽度、形成在所述半导体衬底内，其中所述集电极区具有上部表面和集电极侧壁，本征基极区具有第二宽度、安置在所述集电极区上方，其中所...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述本征基极区的一部分形成在基极腔中，所述基极腔形成在所述集电极区上方和所述非本征基极区下方。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极区的非本征部分形成在发射极间隔物层上方，并且其中所述发射极区的所述非本征部分的一部分是单晶的。
4.一种双极晶体管装置，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的双极晶体管装置，其特征在于，所述本征基极区的一部分形成在所述集电极区上方和所述非本征基极区下方的基极腔中。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述本征基极区的一部分形成在基极腔中，所述基极腔形成在所述集电极区上方和所述非本征基极区下方。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极区的非本征部分形成在发射极间隔物层上方，并且其中所述发射极区的所述非本征部分的一部分是单晶的。
4.一种双极晶体管装置，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的双极晶体管装置，其特征在于，所述本征基极区的一部分形成在所述集电极区上方和所述非本征基极区下方的基极腔中。
6.根据权利要求4所述的双极晶体管装置，其特征在于，所述发射极区的非本征部分形...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰伊·保罗·约翰，詹姆斯·艾伯特·基希格斯纳，约翰内斯·J·T·M·唐克尔，柳博·拉迪克，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：
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