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一种半导体装置包括半导体衬底、集电极区以及本征基极区，所述集电极区具有第一宽度、形成在所述半导体衬底内，所述本征基极区具有第二宽度、安置在所述集电极区上方，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。具有上部表面的非本征基极区形成在所述集电极区上方并...
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