【技术实现步骤摘要】
本申请案主张2022/12/15申请的美国临时申请案第63/387，568号及2023/3/31申请的美国正式申请案第18/194，071的优先权及益处，所述美国临时申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。本申请内容是关于一种半导体结构；具体而言是关于一种具有晶粒堆叠结构的半导体结构。
技术介绍
1、随着人工智能(artificial intellectual，ai)模型的应用领域越来越广，对于具有更强大计算能力的硬件的需求也随之提高。由于ai模型通常需要大量的平行运算，其所用的运算硬件大多包括多核心，需要较大的电路面积。此外，为了提高运效率，还需要不同核心间的数据共享及/或资料交换。然而，为了实现数据共享及/或数据交换，核心间的连接可能更为复杂并且需要更大的面积。因此，提供一种能在较小面积内实现更强大运算能力的半导体结构成为本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的一实施例提供一种半导体结构，半导体结构包含介电层、第一再分配层(redistribution layer，rdl)、...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中每一所述多个上层晶粒包含运算电路。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述多个上层晶粒的一上层晶粒的一运算电路透过所述第二再分配层耦接至所述多个上层晶粒的另一上层晶粒的一运算电路。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述至少一下层晶粒包含至少一内存电路或多个深沟槽电容器，且每一所述多个上层晶粒的所述运算电路透过所述第二再分配层耦接至所述至少一内存电路或所述多个深沟槽电容器。
6.如权利要求3所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含：
2.如权利要求1所述的半导体结构，还包含：
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中每一所述多个上层晶粒包含运算电路。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述多个上层晶粒的一上层晶粒的一运算电路透过所述第二再分配层耦接至所述多个上层晶粒的另一上层晶粒的一运算电路。
5.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述至少一下层晶粒包含至少一内存电路或多个深沟槽电容器，且每一所述多个上层晶粒的所述运算电路透过所述第二再分配层耦接至所述至少一内存电路或所述多个深沟槽电容器。
6.如权利要求3所述的半导体结构，其中每一所述多个上层晶粒还包含至少一晶粒对晶粒连接电路，其沿着每一所述多个上层晶粒的边缘设置，且所述多个上层晶粒是设置在所述第二再分配层上以使得所述多个上层晶粒的一上层晶粒的晶粒对晶粒连接电路和所述多个上层晶粒的另一上层晶粒的晶粒对晶粒连接电路相邻。
7.如权利要求3所述的半导体结构，其中：
8.如权利要求3所述的半导体结构，其中所述至少一下层晶粒包含多个下层晶粒，且每一所述多个下层晶粒包含一运算电路。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述多个下层晶粒的一下层晶粒的运算电路透过所述第二再分配层耦接至所述多个上层晶粒的一上层晶粒的运算电路。
10.如权利要求8所述的半导体结构，其中所述多个下层晶粒的一下层晶粒的一运算电路透过所述第一再分配层耦接至所述多个下层晶粒的另一下层...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱志威，张峻玮，陈维志，黄哲彦，
申请(专利权)人：序星科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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