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半导体结构与制造半导体结构的方法技术
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文档序号:41744937
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本申请揭露一种半导体结构以及用以制造半导体结构的方法。所述半导体结构包含至少一下层晶粒与多个上层晶粒。所述半导体结构还包含形成于至少一下层晶粒上的一再分配层(RDL)以及形成于再分配层上的多个微凸块。上层晶粒以其正面侧附接于微凸块上而堆叠于...
该专利属于序星科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过序星科技股份有限公司授权不得商用。
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