【技术实现步骤摘要】
本专利技术所揭示内容是关于一种半导体结构，尤其是关于一种具有晶粒堆叠结构的半导体结构。
技术介绍
1、为在较小面积中以较低功率消耗获得较大运算能力，半导体封装制程已开发并采用晶粒堆叠技术。然而，由于晶粒与外部焊垫之间的布线必须在有限的面积内密集设置，因此使得走线变得十分复杂。再者，为保护数据信号及/或控制信号以免受到电源信号的干扰，布线时还须遵循特定的规则，这使得布线更加困难。因此，如何提供可便利布线的半导体结构已成为待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术所揭示内容的一个实施例揭示一种半导体结构。该半导体结构包括一背侧重分布层(redistribution layer，rdl)、复数凸块、一介电层、复数介电贯孔(throughdielectric via，tdv)、复数第一晶粒、和一第二晶粒。该等复数凸块是设置在该背侧重分布层的第一表面上，而该介电层是设置在该背侧重分布层的第二表面上。该等复数介电贯孔穿过该介电层。该等复数第一晶粒是设置在该介电层内，且每一该等复数第一晶粒包括一第一基...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1的半导体结构，其中一运算电路是形成在该第一器件层和该第一重分布层中，而一存储器电路是形成在该第二器件层和该第二重分布层中。
3.如权利要求2的半导体结构，其中该运算电路是配置成透过该第一重分布层和该第二重分布层将信号传输到该存储器电路。
4.如权利要求2的半导体结构，其中一输入/输出电路是进一步形成在该第二器件层和该第二重分布层中。
5.如权利要求4的半导体结构，其中该运算电路是配置成透过该第一重分布层和该第二重分布层将信号传输到该输入/输出电路，且该输入/输出电路...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
2.如权利要求1的半导体结构，其中一运算电路是形成在该第一器件层和该第一重分布层中，而一存储器电路是形成在该第二器件层和该第二重分布层中。
3.如权利要求2的半导体结构，其中该运算电路是配置成透过该第一重分布层和该第二重分布层将信号传输到该存储器电路。
4.如权利要求2的半导体结构，其中一输入/输出电路是进一步形成在该第二器件层和该第二重分布层中。
5.如权利要求4的半导体结构，其中该运算电路是配置成透过该第一重分布层和该第二重分布层将信号传输到该输入/输出电路，且该输入/输出电路是配置成透过该等复数凸块的至少一凸块以及该等复数介电贯孔之的至少一介电贯孔将信号传输到一外部电路。
6.如权利要求1的半导体结构，其中该第二晶粒包含复数输入/输出电路，且每一该等复数第一晶粒包含一运算电路，其耦接到该等复数输入/输出电路的一输入/输出电路。
7.如权利要求1的半导体结构，其中该第一基板是比该第二基板更薄。
8.如权利要求1的半导体结构，其中该第二晶粒的晶粒大小是比该等复数第一晶粒的每个的晶粒大小更大。
9.一种用于制造半导体结构的方法包含：
10.如权利要求9的方法，其中以该面对面方式将该等复数第一晶粒堆叠在该第二晶粒上的该步骤包含采用混成键将该等复数第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱志威，张峻玮，陈尚斌，陈维志，黄哲彦，
申请(专利权)人：序星科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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