半导体装置封装及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:41744920 阅读:20 留言:0更新日期:2024-06-21 21:31
本公开提供一种半导体装置封装。所述半导体装置封装包含具有第一表面的衬底、安置于所述衬底的第一区上方的电触点,以及安置于所述衬底上方的EMI屏蔽层。所述EMI屏蔽层包含不均匀厚度,且所述EMI屏蔽层的高程相对于所述衬底的所述第一表面高于所述电触点的高程。还公开一种用于制造半导体装置封装的方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及半导体装置封装和用于制造半导体装置封装的方法。


技术介绍

1、在用于在天线封装(例如封装中天线(aip))上形成电磁干扰(emi)屏蔽层的一些现有技术中,可利用掩模(例如,夹具)或条带(例如,热稳定条带)来保护导电衬垫。掩模或条带可以覆盖导电衬垫且防止其重叠或被emi屏蔽层覆盖。

2、随着技术发展,使用掩模对于天线封装的小型化是不利的,因为掩模的尺寸与导电衬垫周围的禁入区不兼容。对于使用条带覆盖导电衬垫,条带可能在导电衬垫上方浮动或在边缘上溢出。在移除条带之后,emi屏蔽层可能从天线封装分裂,从而在边缘上形成金属毛边。金属毛边可造成颗粒污染且也可造成短路。


技术实现思路

1、在一些布置中,一种半导体装置封装包含具有第一表面的衬底、安置于衬底的第一区上方的电触点,以及安置于衬底上方的emi屏蔽层。所述emi屏蔽层包含不均匀厚度,且所述emi屏蔽层的高程相对于所述衬底的所述第一表面高于所述电触点的高程。

2、在一些布置中,一种半导体装置封装包含具有第一表面的衬底、从衬底的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置封装,其包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述EMI屏蔽层的第一部分比所述

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述EMI屏蔽层朝向所述电触点逐渐变窄。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述EMI屏蔽层包括具有所述不均匀厚度的第一部分,且其中所述第一部分的顶端低于所述电触点的顶端。

5.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中从俯视图看,所述第一部分在所述衬底的第一侧及与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧之间延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述E...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置封装,其包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述emi屏蔽层的第一部分比所述

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述emi屏蔽层朝向所述电触点逐渐变窄。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述emi屏蔽层包括具有所述不均匀厚度的第一部分,且其中所述第一部分的顶端低于所述电触点的顶端。

5.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中从俯视图看,所述第一部分在所述衬底的第一侧及与所述衬底的所述第一侧相对的所述衬底的第二侧之间延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述emi屏蔽层包括第一部分和第二部分,其中所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度,且其中所述第二部分的高程相对于所述衬底的所述第一表面高于所述第一部分的高程。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装,其中所述第一部分的顶部表面的粗糙度大于所述第二部分的顶部表面的粗糙度。

8.根据权利要求6所述的半导体装置封装,其中所述第一部分的底部表面和所述第二部分的底部表面大体上平行。

9.根据权利要求6所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴正伟张澄凯
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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