The present invention provides a method for manufacturing a lining oxide layer STI, STI lining oxide layer making is sealed in the direct oxidation of silicon etching device within the production, which comprises the following steps: 1.. At the same time the first heat sealing device of introducing inert gas into the sealing device; the 2. is heating up again, so the temperature of the substrate oxidation layer of STI fabrication, the seal device pass into the inert gas and oxidizing gas to the substrate oxidation layer at the same time, the growth of STI; 3. lining oxide annealing STI, inert gas and oxidizing gas to pass in the sealing device and sealing device for the first time; 4. to cool the seal in the device pass into the inert gas and oxidizing gas to the 5. at the same time; seal again cooling, sealing device in the inert to the at the same time Sex gas. This method can effectively solve the damage caused by the traditional manufacturing methods, and improve the efficiency and the coverage rate of the lining oxide.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及STI制作领域，尤其涉及减小制作STI的衬氧化层时导致的有 源区损伤的方法。
技术介绍
浅槽隔离(Shallow Trench Isolation: STI)是目前半导体集成芯片常用的隔 离技术。在隔离器件之中制作STI进行隔离，在浅槽中填充绝缘物达到绝缘待 隔离的器件的目的。STI结构的形成通常是先在半导体基底上沉积一层氮化硅 层，然后图案化此氮化硅层形成硬掩膜，接着蚀刻基底，在相邻的元件之间形 成陡哨的沟槽。最后在沟槽中填入绝缘物形成元件隔离结构。目前浅槽中的绝 缘物通常采用氧化硅，浅槽中的氧化硅的填充通常分两步进行，进行衬氧化层 (Lining Oxide)的沉积和主氧化物的沉积。STI衬氧化层的制作是在密封装置 内制作，先需要将密封装置进行二次升温，直接氧化蚀刻后的硅基底生长STI 衬氧化层，然后对密封装置进行二次降温。生长好的STI衬氧化层需要进一步 退火，因此又再次需要将密封装置进行二次升温来退火，然后又需进行二次降 温。在制作完STI的衬氧化层之后，在后续制程中会去除基底上的氮化硅。由 于在退火之后，在氮气的退火环境下基底沟槽表面的拐...
【技术保护点】
一种制作ＳＴＩ的衬氧化层的方法，所述ＳＴＩ的衬氧化层制作是在密封装置内在蚀刻好的硅基底上直接氧化制作，其特征在于，所述制作ＳＴＩ的衬氧化层方法包括以下步骤： 步骤１：使密封装置进行初次升温的同时通入惰性气体； 步骤２：进入密封装置的再次升温，使其达到制作ＳＴＩ的衬氧化层的温度，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体，生长ＳＴＩ的衬氧化层； 步骤３：进行ＳＴＩ的衬氧化层退火，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体； 步骤４：使密封装置进行初次降温，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体； 步骤５：进行密封装置的再次降温，同时向所述密封装置内通入惰性气体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐兆云，何有丰，白杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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