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本发明提供了一种制作ＳＴＩ的衬氧化层的方法，ＳＴＩ的衬氧化层制作是在密封装置内在蚀刻好的硅基底上直接氧化制作，它包括以下步骤：１．使密封装置进行初次升温的同时通入惰性气体；２．进入密封装置的再次升温，使其达到制作ＳＴＩ的衬氧化层的温度，同时...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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