【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体加工，特别涉及一种晶体表面微粒清洁装置。
技术介绍
1、在晶体生产工艺中，异物对产品实际的电气性能影响非常大，成品晶体中的微粒还会造成严重客诉，通常直径大于等于0.3μm的微粒都将纳入管控。在经过清洗和除静电后，晶体要进行磁控溅射镀膜，成膜过程不可逆。在此工艺前，晶体上可能存在的细小微粒及异物将对产品品质造成巨大的隐患。
2、目前的晶体加工时，现场一般为无尘环境，但是加工环境内空气中的微粒无法完全杜绝，同时晶体生产加工过程中也会产生异物及粉尘，现有技术中，一般采用纯水、酸碱溶液和酒精清洗去除晶体表面的微粒或者粉尘。这种清洗方式，容易造成清洗溶液在晶体表面残存，且这种采用液体清洗的方式在晶体表面镀膜后不适合使用，因此无法贯穿整个晶体加工流程。
技术实现思路
1、有鉴于此，本技术提供了一种晶体表面微粒清洁装置，采用非接触清洁，避免了晶体表面清洗液的残存，不会对晶体表面及其镀层产生影响，适用于晶体的整个加工流程中的清洁需求。
2、为实现上述目的，本技术提供如
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1.一种晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，所述清洁区与所述集尘区通过隔板分隔，所述隔板上设置有集尘开口；
3.根据权利要求2所述的晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，所述集尘开口位置设置有负压风机；
4.根据权利要求2所述的晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，所述支撑部包括底座，所述底座两侧设置有限位轴承，所述限位轴承转动连接在所述底座两侧的立柱上，所述限位轴承的轴线垂直所述底座的上表面设置；
5.根据权利要求4所述的晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，所述支撑...
【技术特征摘要】
1.一种晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，所述清洁区与所述集尘区通过隔板分隔，所述隔板上设置有集尘开口；
3.根据权利要求2所述的晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，所述集尘开口位置设置有负压风机；
4.根据权利要求2所述的晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，所述支撑部包括底座，所述底座两侧设置有限位轴承，所述限位轴承转动连接在所述底座两侧的立柱上，所述限位轴承的轴线垂直所述底座的上表面设置；
5.根据权利要求4所述的晶体表面微粒清洁装置，其特征在于，所述支撑部还包括支撑板，所述支撑板跨设于所述集尘开口的两侧，所述底座和立柱固定连接在所述支撑板上。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：张程，
申请(专利权)人：山东百利通亚陶科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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